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萊姆IGBT全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)替代品易恩

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱西安誼邦電子科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2018/8/10 17:09:08
  • 訪問次數(shù)375
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西安誼邦電子科技有限公司為國(guó)家*產(chǎn)業(yè)園、西安市重點(diǎn)支持的*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售等業(yè)務(wù)。公司主要技術(shù)人員均來半導(dǎo)體技術(shù)研究所,擁有豐富的專業(yè)技術(shù)知識(shí)和多年的測(cè)試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。 公司引進(jìn)美國(guó)*半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù),在此基礎(chǔ)上研制生產(chǎn)了系列半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng),該測(cè)試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測(cè)試種類全等技術(shù)特點(diǎn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平。 誼邦電子研發(fā)技術(shù)涉及集成電路測(cè)試、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試等領(lǐng)域。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等行業(yè)領(lǐng)域。 科技創(chuàng)新、服務(wù)無限,是我們工作的宗旨。

主營(yíng)范圍:1.IGBT測(cè)試系統(tǒng) 2.半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀 3.高速大功率半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng) 4.分立功率器件測(cè)試儀 5.可控硅整流器測(cè)試(儀) 6.MOS 場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試(儀) 7.三端穩(wěn)壓器測(cè)試(儀) 8.絕緣柵雙*功率晶體管IGBT測(cè)試(儀) 9.光電耦合器測(cè)試(儀) 11.繼電器測(cè)試(儀)

 

分立器件測(cè)試,圖示儀,大功率IGBT測(cè)試儀,雪崩測(cè)試儀
測(cè)量范圍 IGBT靜態(tài)參數(shù) 外形尺寸 800×800×1800(mm)mm
用途 IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試 重量 210kg
EN—3020C測(cè)試系統(tǒng)(以下簡(jiǎn)稱系統(tǒng))是西安易恩電氣科技有限公司推出的IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)符合GJB128-86和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 4587-94測(cè)試規(guī)范。
系統(tǒng)適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試,是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)。
系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)功率源為3500V/200A,電流可擴(kuò)展至2000A。
萊姆IGBT全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)替代品易恩 產(chǎn)品信息

萊姆IGBT全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)替代品易恩大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試儀

EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

系統(tǒng)概述

EN3020C測(cè)試系統(tǒng)(以下簡(jiǎn)稱系統(tǒng))是西安易恩電氣科技有限公司推出的IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)符合GJB128-86和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 4587-94測(cè)試規(guī)范。

系統(tǒng)適合工廠、研究所用做IGBT及其模塊的篩選、檢驗(yàn)、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試,是一款針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)。

系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)功率源為3500V/200A,電流可擴(kuò)展至2000A。

系統(tǒng)的自動(dòng)化程度高按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化的智能測(cè)試,計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或 EXCEL 格式存儲(chǔ)測(cè)試方法靈活,可*測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試。

系統(tǒng)采用品牌工控機(jī),具有抗電磁*力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)

系統(tǒng)安全穩(wěn)定,PLC 對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖。

 

EN-3020C測(cè)試系統(tǒng)中控制系統(tǒng)主要由計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)和PLC控制系統(tǒng)組成

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)是該測(cè)試設(shè)備的中心控制單元,設(shè)備有一部分的工作程序、工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài),數(shù)據(jù)采集等均由計(jì)算機(jī)完成。計(jì)算機(jī)

采用研華工業(yè)控制機(jī),具有抗電磁*力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)。

計(jì)算機(jī)中,裝有美國(guó)國(guó)家儀器公司生產(chǎn)的數(shù)據(jù)采集卡NI PCI6221卡2塊,NI PCI6221是一塊多功能的數(shù)據(jù)采集卡,具有三組數(shù)據(jù)端口,16/8個(gè)

模擬量輸入端口,兩個(gè)模擬量輸出口、兩個(gè)定時(shí)器計(jì)數(shù)器。

PLC控制系統(tǒng)

控制系統(tǒng)除工控機(jī)外,還采用了歐姆龍系列的PLC,PLC主要對(duì)設(shè)備的工作時(shí)序、開關(guān)動(dòng)作等進(jìn)行控制,并且與計(jì)算機(jī)進(jìn)行通訊,完成了整個(gè)系

統(tǒng)的自動(dòng)控制功能;PLC不僅控制開關(guān)的動(dòng)作,而且對(duì)系統(tǒng)中主要開關(guān)的工作狀態(tài)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,并與硬件進(jìn)行互鎖,實(shí)現(xiàn)了可靠的安全控制功能。

系統(tǒng)特征

針對(duì)IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)

大功率(IV可擴(kuò)展至4500A,6000V

自動(dòng)化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作)

計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化文本或EXECL格式存儲(chǔ)

采用品牌工控機(jī),具有抗電磁*力強(qiáng),排風(fēng)量大等特點(diǎn)

測(cè)試方法靈活(可*測(cè)試器件以及單個(gè)和多單元的模塊測(cè)試)

安全穩(wěn)定(PLC對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并與硬件進(jìn)行互鎖)

測(cè)試范圍

EN-3020C系統(tǒng)是專為測(cè)試IGBT而設(shè)計(jì)。能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試出IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)其測(cè)試范圍如下:

1柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試                     VGES、IGES

2柵極-發(fā)射極閾值電壓測(cè)試                   Vge(th)

3集電極-發(fā)射極電壓測(cè)試測(cè)試                 VCES、ICES

4集電極-發(fā)射極飽和電壓測(cè)試測(cè)試             Vge(sat)、IC

5二極管壓降測(cè)試測(cè)試                        VF、IF

6二極管反向可恢復(fù)直流電壓測(cè)試          VR、IR

外形尺寸和電源要求

寸:800×800×1800(mm)

質(zhì) 量:210kg

環(huán)境溫度:15~40℃

工作電壓:AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

通信接口: USB RS232

系統(tǒng)功耗: 380W

參數(shù)/條件

參數(shù)/條件

 

 

 

 

 

 

參  數(shù)

 

 

ENJ 35200 IGBT

ENJ 30200 IGBT

 

 

 

靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

靜態(tài)參數(shù)手動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

 

條  件

 

 

①柵極-發(fā)射極漏電流IGES

 

 

 

 

 

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

 

 

 

 

 

集電極電壓VCE: 0V

 

 

 

 

 

柵 極 電 壓 VGE: 20V ±3%±0.2V

 

 

 

 

 

②集電極-發(fā)射極電壓BVCES

 

 

 

 

 

集電極電壓VCES: 100-3500V±5%±10V(選配)

 

 

 

 

 

集電極電流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

 

100-3500V±5%±10V

100-3000V±5%±10V

柵 極 電 壓 VGE: 0V

 

 

 

 

 

③集電極發(fā)射極飽和電壓VCESAT

 

 

 

 

 

VCESAT:0.1-10V

 

 

 

 

 

柵極電壓 V G E : ±15V±2%±0.2V

 

 

 

 

 

集電極電流ICE: 10-200A±5%(選配)

 

 

10-200A±5%

10-200A±5%

④集電極-發(fā)射極截止電流ICES

 

 

 

 

 

集電極電流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

 

 

100-3500V±5%

100-3000V±5%

集電極電壓VCE: 100-3500V±5%(選配)

 

 

 

 

 

柵 極 電 壓V G E : 0V

 

 

 

 

 

⑤柵極-發(fā)射極閥值電壓測(cè)試VGETH

 

 

 

 

 

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

 

 

 

 

 

VGE=VCE

 

 

 

 

 

集電極電流ICE: 30mA±3%

 

 

 

 

 

⑥二極管壓降測(cè)試VF

 

 

 

 

 

VF: 0.1-5V±3%±0.01V

 

 

 

 

 

柵極電壓VGE: 0V

 

 

 

 

 

流  I F : 10-200A±5%(選配)

 

 

10-200A±5%

10-200A±5%

導(dǎo)通電流  IC: 10-200A±5%

 

 

 

 

 

柵極電壓VGE:±15V±0.2V

 

 

 

 

 

 

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