昆山國華等離子處理設備表面清潔/活化/粗化
等離子體刻蝕在集成電路制造中已有40余年的發(fā)展歷程，早70年代引入用于去膠，80年代成為集成電路領域成熟的刻蝕技術(shù)。等離子刻蝕采用的等離子體源常見的有容性耦合等離子體(CCP-capacitively coupled plasma)、感應耦合等離子體ICP(Inductively coupled plasma)和微波ECR 等離子體(microwave electron cyclotron resonance plasma)等。雖然等離子體刻蝕設備已廣泛應用于集成電路制造，但由于等離子體刻蝕過程中復雜的物理和化學過程到目前為止仍沒有一個有效的方法*從理論上模擬和分析等離子體刻蝕過程。除等離子刻蝕外，等離子體刻蝕技術(shù)也成功的應用于其他半導體制程，如濺射和等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。當然鑒于plasma豐富的活性粒子，plasma也廣泛應用于其他非半導體領域，如空氣凈化，廢物處理等。
由于等離子刻蝕過程中復雜的物理和化學反應， 不同中性粒子、帶電粒子間的場(電場，流場，力場等)的相互作用，使得plasma刻蝕很難描述。一些文章中都是針對初學者簡單的介紹了等離子體刻蝕中的主要幾個過程，但是對于原理性的描述非常有限。Nasser, “Fundamentals of Gaseous Ionization and Plasma Electronics”, John Wiley & Sons, 1971，Chapman, “Glow Discharge Processes”, John Wiley & Sons, 1980兩本經(jīng)典書籍全面的介紹了等離子體的基本物理定律和現(xiàn)象。物理和工程領域的相關人員可從此兩本書中了解等離子體技術(shù)。
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應用于LCD封裝工藝
LED封裝工藝直接影響LED產(chǎn)品的成品率，而封裝工藝中出現(xiàn)問題的罪魁禍首99%來源于支架、芯片與基板上的顆粒污染物、氧化物及環(huán)氧樹脂等污染物，如何去除這些污染物一直是人們關注的問題，等離子清洗作為近幾年發(fā)展起來的清洗工藝為這些問題提供了經(jīng)濟有效且無環(huán)境污染的解決方案。針對這些不同污染物并根據(jù)基板及芯片材料的不同，采用不同的清洗工藝可以得到理想的效果，但是錯誤的工藝使用則可能會導致產(chǎn)品報廢，例如銀材料的芯片采用氧等離子工藝則會被氧化發(fā)黑甚至報廢。所以選擇合適的等離子清洗工藝在LED封裝中是非常重要的，而熟知等離子清洗原理更是重中之重。一般情況下，顆粒污染物及氧化物采用5％H2+95%Ar的混合氣體進行等離子清洗，鍍金材料芯片可以采用氧等離子體去除有機物，而銀材料芯片則不可以。選擇合適的等離子清洗工藝在LED封裝中的應用大致分為以下幾個方面： 點銀膠前基板上的污染物會導致銀膠呈圓球狀，不利于芯片粘貼，而且容易造成芯片手工刺片時損傷，使用等離子清洗可以使工件表面粗糙度及親水性大大提高，有利于銀膠平鋪及芯片粘貼，同時可大大節(jié)省銀膠的使用量，降低成本。
引線鍵合前：芯片粘貼到基板上后，經(jīng)過高溫固化，其上存在的污染物可能包含有微粒及氧化物等，這些污染物從物理和化學反應使引線與芯片及基板之間焊接不*或粘附性差，造成鍵合強度不夠。在引線鍵合前進行等離子清洗，會顯著提高其表面活性，從而提高鍵合強度及鍵合引線的拉力均勻性。鍵合刀頭的壓力可以較低（有污染物時，鍵合頭要穿透污染物，需要較大的壓力），有些情況下，鍵合的溫度也可以降低，因而提高產(chǎn)量，降低成本。 LED封膠前：在LED注環(huán)氧膠過程中，污染物會導致氣泡的成泡率偏高，從而導致產(chǎn)品質(zhì)量及使用壽命低下，所以，避免封膠過程中形成氣泡同樣是人們關注的問題。通過等離子清洗后，芯片與基板會更加緊密的和膠體相結(jié)合，氣泡的形成將大大減少，同時也將顯著提高散熱率及光的出射率。
通過以上幾點可以看出產(chǎn)品清潔/活化/粗化等離子表面處理設備，及微顆粒污染物的去除可以通過材料表面鍵合引線的拉力強度及侵潤特性直接表現(xiàn)出來。
