1、便攜式igbt靜態(tài)測試儀-華科智源設備概述

1.1

設備數量

1套

1.2

設備功能

測試功率半導體器件靜態(tài)參數

1.3

設備組成

設備包含硬件模塊和軟件模塊兩大部分

1.4

硬件模塊

設備硬件部分應包括測試主機、測試線纜，測試夾具、控制電腦等

1.5

軟件模塊

設備軟件部分應包括：

1.操作系統(tǒng)、備份、保存、編輯、上傳等基本功能；

2.圖形化操作界面；

3.輸出EXCEL、word版測試報告

4.切換大小功率測試模塊，達到相應測試精度

5.I-V特性曲線，曲線上測試點數據可以導出到EXCEL表格；

6.同一測試條件的器件的測試曲線可以在軟件內進行對比，新測曲線可以與原測曲線進行對比；

2、設備尺寸

2.1

設備總體長度

≤ 500mm

2.2

設備總體寬度

≤450mm

2.3

設備總體高度

≤300mm

3、技術指標

★

3.1

機臺可測試器件類型

二極管、MOSFET、IGBT單管及模組

★

3.2

機臺可測IGBT項目

及測試范圍

VGE(th)柵極閾值電壓

VCES集射極截止電壓

ICES集射極截止電流

VCE(sat)飽和導通壓降

Iges柵極漏電流

VF二極管導通電壓

可以測5000V,2000A以下的IGBT模塊

★

3.3

機臺可測MOS項目

Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)

★

3.4

VGE(th)柵極閾值電壓測量范圍

0.1～10V分辨率：0.001V

3.5

VGE(th)

測試條件與精度

VGE：0.1～10V±1%±0.01V；

集電極電流Ic：

10～50mA±1%±0.5mA；

★

3.6

VCES集射極截止電壓測量范圍

0~5000V 分辨率0.1V

3.7

VCES

測試條件與精度

集電極電流ICES：

0.01～1mA±3%±0.001mA；

1～10mA±2%±0.01mA；

10～50mA±1%±0.1mA；

集電極電壓VCES：

0-5000V±1%±2V；

★

3.8

ICES集射極截止電流測量范圍

0.01～50mA 分辨率 0.001uA

3.9

ICES

測試條件與精度

集電極電壓VCES：

50～500V±1%±1V；

500～5000V±1%±2V；

集電極電流ICES：

0.001～1mA±3%±0.001mA；

1～10mA±2%±0.01mA；

10～50mA±1%±0.1mA；

★

3.10

VCE(sat)飽和導通壓降測量范圍

0.001～10V 分辨率 1mV

3.11

VCE(sat)

測試條件與精度

集電極電壓VCEs：

0.001～10V±0.5%±0.001V

柵極電壓Vge：

5～40V±1%±0.01V

集電極電流ICE：0-1600A

0～100A±1%±1A；

100～1600A±1%±1A；

★

3.12

Iges柵極漏電流

測量范圍

0.01～10μA 分辨率 0.1nA

3.13

Iges

測試條件與精度

柵極漏電流IGEs：

0.01～10μA±2%±0.005μA

柵極電壓Vge：

±1Ｖ～100V±1%±0.1V；

Vce=0V；

★

3.14

VF正向特性測試

測量范圍

0.1～10V 分辨率 0.001V

3.15

VF正向特性測試

測試條件與精度

二極管導通電壓Vf：

0.1～10V±1%±0.01V

電流IF：

0～100A±2%±1A；

100～1600A±1%±2A；