日本toshiba氮化硅陶瓷絕緣線路板
在氮化硅陶瓷上形成銅電路的絕緣電路板，兼具散熱性和強(qiáng)度。
由于陶瓷基板的高強(qiáng)度，可以形成厚度從0.1mm到0.8mm的銅電路。
由于其高散熱性，它是實(shí)現(xiàn)功率模塊高輸出和小型化的關(guān)鍵材料。此外，它還是一種耐熱循環(huán)性能優(yōu)良、使用壽命長、可靠性高的基板。
此外，還可用于功率模塊中銅電極duan子的超聲波（US）鍵合、無底銅、鉆孔螺釘固定等各種安裝結(jié)構(gòu)。
特征
兼具散熱與強(qiáng)度
更厚的銅電路是可能的
優(yōu)異的耐熱循環(huán)性
日本toshiba氮化硅陶瓷絕緣線路板
產(chǎn)品規(guī)格
| 甲，乙 | 陶瓷外形（mm） | 有效范圍90×110 | ||
|---|---|---|---|---|
| 公差（毫米） | ±0.15 | |||
| C。 | 陶瓷厚度（mm） | 0.25/0.32 | ||
| 公差（毫米） | ±0.05 | |||
| 電極材料 | 銅 | |||
| D. | 銅厚 (mm) | 0.1 至 0.4 | 0.5 至 0.6 | 0.7 至 0.8 |
| E. | 爬電距離 (mm) | ≥0.5 | ≥0.7 | ≧1.0 |
| F。 | 圖案尺寸（毫米） | ≥0.5 | ≥0.7 | ≧1.0 |
| G。 | 花樣間尺寸（mm） | ≧0.4 | ≧1.0 | ≧1.2 |
| H。 | 錐度尺寸 (mm) | ≦0.5D（Cu厚度的1/2以下） | ||
銅電路連接方法
AMC（活性金屬銅電路）基板通過釬焊材料連接陶瓷和銅電路板。它是一種便于形成精細(xì)圖案并具有優(yōu)異耐熱性和性價(jià)比的功率模塊基板。
