CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)，科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價(jià)比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括：
介電材料（SiO2、SiNx等）
硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
濺射金屬（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
類金剛石（DLC）
產(chǎn)品特點(diǎn)：
PLC工控機(jī)控制整個(gè)清洗過(guò)程，全自動(dòng)進(jìn)行。
7寸彩色觸摸屏互動(dòng)操作界面，圖形化操作界面顯示，自動(dòng)監(jiān)測(cè)工藝參數(shù)狀態(tài)，0~99配方程序，可存儲(chǔ)、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù)，機(jī)器運(yùn)行、停止提示。
手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。
全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無(wú)污染。
采用防腐數(shù)字流量計(jì)控制，標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)，可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)，氣體分配均勻?？奢斎?/span>氧氣、氬氣、氮?dú)?、四氟化碳、氫氣或混合?/span>等氣體。
具備HEPA高效過(guò)濾氣體返填吹掃功能。
符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì)，操作方便，界面友好。
316不銹鋼、航空鋁真空倉(cāng)選擇。
采用頂置真空倉(cāng)，上開蓋設(shè)計(jì)，下壓式鉸鏈開關(guān)方式。上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì)，符合人體功能學(xué)，操作更方便。
有效處理面積大，可處理直徑200mm晶元硅片。
安全保護(hù)，倉(cāng)門打開，自動(dòng)關(guān)閉電源。
技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | RIE200 | RIE200plus |
艙體內(nèi)尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm | 不銹鋼氣浴RIE電極，Φ200mm |
匹配器 | 自動(dòng)匹配 | 自動(dòng)匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 10-300W可調(diào)（可選10-1000W） | 10-300W可調(diào)（可選10-600W） |
氣體控制 | 質(zhì)量流量計(jì)（MFC）（標(biāo)配雙路，可選多路）流量范圍0-500SCCM（可調(diào)） | |
工藝氣體 | Ar、N?、O?、H?、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合氣體等（可選） | |
處理尺寸 | ≤Φ200mm | |
時(shí)間設(shè)定 | 1-99分59秒 | |
真空泵 | 抽速約8m3/h | |
氣體穩(wěn)定時(shí)間 | 1分鐘 | |
極限真空 | ≤1Pa | |
電 源 | AC220V 50-60Hz，所有配線符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。 | |
當(dāng)?shù)入x子蝕刻應(yīng)用涉及使用氧氣作為工藝氣體時(shí)，出于安全原因，強(qiáng)烈建議使用Edwards愛德華真空泵 RV3雙級(jí)旋片泵或類似的合成油旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵。因?yàn)?/span>Edwards愛德華RV3雙級(jí)旋片泵在泵科學(xué)應(yīng)用方面已成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)然，在需要避免使用油基旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵的地方，也可選擇干式真空泵。
