較*的成像、分析和 TEM 樣品制備用 DualBeam 平臺，用于半導體失效分析、工藝開發(fā)和工藝控制實驗室。
Helios G4 HX DualBeam 結(jié)合了業(yè)界、分辨率較高、對比度較高的 Elstar + UC SEM 與的 Phoenix FIB，可實現(xiàn)的成像和銑削性能。Helios G4 HX DualBeam 專為高通量、高質(zhì)量、超薄 TEM 片晶制備而設計，配備了 FEI EasyLift EX 納米機械手和新型自動 QuickFlip 穿梭器，用于精確、準確、可重復的原位樣品提升和操作。當與 FEI iFast Starter Recipes 結(jié)合用于自動化 TEM 樣品制備時，即使是新手操作員也能夠自信地重復創(chuàng)建高質(zhì)量、超薄的片晶。
Helios G4 HX DualBeam 旨在應對*半導體失效分析實驗室的挑戰(zhàn)。FEI Cell Navigator 使用自動樣本導航準確定位重復結(jié)構(gòu)中的缺陷。這將使找到預期目標區(qū)域的成功率提高 5% 以上。此外，由 FEI EasyLift EX 納米機械手、新型 自動 QuickFlip 穿梭器和自動化軟件平臺 iFAST 實現(xiàn)的具有權(quán)的倒置 TEM 樣品制備方法，在業(yè)界提供了較高的通量。
橫截面成像
UC 單色儀技術的創(chuàng)新 Elstar 電子鏡筒為系統(tǒng)的高分辨率成像能力提供了基礎。這轉(zhuǎn)化為工作距離下 0.6 nm 和雙光束重合下 0.8 nm 的不受影響的 SEM 分辨率。高分辨率、低損傷電子束成像對于識別塊狀樣品內(nèi)的缺陷或結(jié)構(gòu)問題以及指向超薄 TEM 片晶至關重要。在非常低的著陸能量下操作，對于盡可能降低光束對敏感材料（如低 k 介電或光刻膠）的損傷也至關重要。
