IM4000PLUS是支持斷面研磨和平面研磨(Flat Milling®*1)的混合式離子研磨儀器。借此,可以用于適用于各種諸如對樣品內部結構觀察和各類分析等,為評價目的樣品的制作。
*1平面研磨(Flat Milling®)是位于日本國內的日立有限公司的注冊商標。
參數(shù)規(guī)格:
項目 | 內容 | |
---|---|---|
IM4000PLUS | IM4000PLUS | |
斷面研磨桿 | 平面研磨桿 | |
使用氣體 | Ar(氬)氣 | |
加速電壓 | 0 ~ 6 kV | |
**研磨速度(Si材料) | 500 µm/hr*1 以上 | - |
**樣品尺寸 | 20(W)× 12(D)× 7(H)mm | Φ50 × 25(H) mm |
離子束 間歇照射功能 | 標配 | |
尺寸 | 616(W)× 705(D)× 312(H)mm | |
重量 | 機體48 kg+回轉泵28 kg | |
附冷卻溫度調節(jié)功能的IM4000PLUS | ||
冷卻溫度調節(jié)功能 | 通過液氮間接冷卻樣品、溫度設定范圍:0°C ~ -100°C | |
選項 | ||
空氣隔離 樣品夾持器 | 僅支持斷面研磨夾持器 | - |
FP版斷面研磨夾持器 | 100 µm/rotate*2 | - |
用于加工監(jiān)控的顯微鏡 | 倍率 15 × ~ 100 × 雙目型、三目型(支持CCD) |
產(chǎn)品特點:
高通量的斷面研磨
配備斷面研磨能力達到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質材料,也可以高效地制備出斷面樣品。
*2在加速電壓6 kV下,將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時時的**深度斷面研磨
即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構成的復合材料,也可以制備出平滑的斷面樣品
優(yōu)化加工條件,減輕損傷
可裝載**20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
斷面研磨的主要用途
制備金屬以及復合材料、高分子材料等各種樣品的斷面
制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面
制備評價、觀察和分析所用的沉積層界面以及結晶狀態(tài)的斷面
斷面研磨加工原理圖
平面研磨(Flat Milling®)
均勻加工成直徑約為5mm的范圍
可運用于符合其目的的廣泛領域
**可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品
可選擇旋轉和擺動(±60度~±90度的翻轉)2種加工方法
平面研磨(Flat Milling®)的主要用途
去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變
去除樣品的表層
消除FIB加工的損傷
平面研磨(Flat Milling®)加工原理圖
與日立SEM的樣品結合
樣品無需從樣品臺取下,就可直接在SEM上進行觀察。
在抽出式的日立SEM上,可按照不同的樣品分別設置截面、平面研磨桿,因此,在SEM上觀察之后,可根據(jù)需要進行再加工。
冷卻溫度調節(jié)功能*1
附冷卻溫度調節(jié)功能的IM4000PLUS
該功能可有效防止加工過程中,由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升,所導致樣品的溶解和變形。對于過度冷卻后會產(chǎn)生開裂的樣品,通過冷卻溫度調節(jié)功能可防止其因過度冷卻而產(chǎn)生開裂。
*1此調節(jié)功能不是IM4000PLUS的標配功能,而是配有冷卻溫度調節(jié)功能的IM4000PLUS功能。