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電子束蒸發(fā)鍍膜機 (E-beam Evaporator)

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱深圳市科時達電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2023/9/13 12:04:30
  • 訪問次數(shù)219
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深圳市科時達電子科技有限公司創(chuàng)建于2011年,經(jīng)過十年的發(fā)展,已經(jīng)成長為一家專注于電子材料、半導體儀器設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備三大產(chǎn)品領(lǐng)域的,是一家集研發(fā)、制造、銷售為一體的企業(yè)。我們的主營業(yè)務(wù)涉及了研發(fā)銷售及加工電子材料及周邊產(chǎn)品;電子光電產(chǎn)品設(shè)備研發(fā)組裝及銷售,半導體儀器設(shè)備銷售;國內(nèi)貿(mào)易、貨物及技術(shù)進出口;醫(yī)療器械研發(fā)及銷售;醫(yī)用耗材及醫(yī)療用品的銷售等??萍紕?chuàng)新是科時達公司的核心競爭力。我們擁有一支高度專業(yè)化的技術(shù)研發(fā)和管理團隊,建立了國內(nèi)的實驗室和光電研究中心,與多家科研機構(gòu)與大專院校開展“產(chǎn)、學、研”合作,成功開發(fā)出一系列具有高科技含量的市場產(chǎn)品,公司產(chǎn)品通國內(nèi)科研機構(gòu)的產(chǎn)品認證。同時,公司擁有電子信息領(lǐng)域相對完備的科技創(chuàng)新體系,在電子裝備、醫(yī)療設(shè)備、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)安全等領(lǐng)域占據(jù)技術(shù)主導地位,肩負著支撐科技自立自強、推進國內(nèi)科技現(xiàn)代化、加快數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展、服務(wù)社會民生的重要職責。聚焦“三大定位”主責,科時達公司按照“做優(yōu)電子裝備、做大儀器設(shè)備、做精產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、做強研發(fā)銷售”的總體布局,持續(xù)優(yōu)化核心業(yè)務(wù)體系,推動企業(yè)在科技現(xiàn)代化建設(shè)、現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)的核心關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點上“布點”,在產(chǎn)業(yè)鏈價值鏈創(chuàng)新鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)上“成線”,在關(guān)系國家、國民經(jīng)濟命脈和國計民生關(guān)鍵領(lǐng)域上“控面”。做強電子裝備,重點發(fā)展利用聲、光、電磁信號進行信息感知、傳輸、運用等的系統(tǒng)級裝備和產(chǎn)品,打造全域多維一體新一代電子裝備,不斷夯實在高??蒲蓄I(lǐng)域和高科枝企業(yè)的提供地位。做大儀器設(shè)備,重點發(fā)展半導體儀器基礎(chǔ)設(shè)施和醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用與整體解決方案,全面支撐基于網(wǎng)絡(luò)信息體系的聯(lián)合和全域能力提升、國家治理能力提升和數(shù)字化發(fā)展。做精產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),重點打造形成電子基礎(chǔ)產(chǎn)品科研和生產(chǎn)的基礎(chǔ)支撐能力,以夯實產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控能力為根本目標,推動以“科時達基因”為核心的銷售集群式發(fā)展。做強研發(fā)銷售,致力于電子產(chǎn)品的研發(fā)??茣r達公司是一家,多年來公司研發(fā)團隊致力于電子材料、半導體儀器和醫(yī)療設(shè)備的研發(fā)。同時企業(yè)還致力于將產(chǎn)品做好國內(nèi)外市場銷售,在整體銷售模式中具備一套完整的銷售體系。以客戶需求為導向,以質(zhì)量求生存,科時達公司以超凡的品質(zhì)和優(yōu)良的服務(wù),獲得國內(nèi)外市場的一致認可;公司營銷網(wǎng)絡(luò)覆蓋,產(chǎn)品世界各地,目前已經(jīng)成為國內(nèi)電子科技行業(yè)中重要的生產(chǎn)制造基地。
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術(shù);它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬,使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。
電子束蒸發(fā)鍍膜機 (E-beam Evaporator) 產(chǎn)品信息

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術(shù);它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬,使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜??烧舭l(fā)很多難熔金屬或者蒸汽壓低的金屬材料,包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…

技術(shù)參數(shù):
1. 蒸發(fā)室尺寸:24"×24"×21";

2. 極限真空度:≤5×10-7托;

3. 電子槍功率: 6千瓦可調(diào);

4. 蒸發(fā)速率:可由晶體振蕩器監(jiān)控厚度和沉積速率;

5. 可蒸發(fā)金屬膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等;

6. 膜厚度誤差 ≤±5%,膜厚均勻性誤差 ≤±5% 。



主要特點:
1. 安全簡易的軟件操作系統(tǒng),四個不同級別的用戶權(quán)限(操作、工藝、工程師以及維修保養(yǎng))較大限度的保證系統(tǒng)的安全。


2. 雙腔設(shè)計:蒸發(fā)材料和晶片分別處于不同的腔體中,使得源材料的更換和晶片的裝載過程中限度的保證腔體的潔凈程度和縮短抽真空的時間。

3. 較大的前腔門使得在維修和保養(yǎng)的過程中極為方便。

4. 采用衛(wèi)星旋轉(zhuǎn)式晶片裝載夾具,可以根據(jù)不同的產(chǎn)量的需要升級晶片直徑或增加夾具的數(shù)量。衛(wèi)星旋轉(zhuǎn)式夾具保證了沉積薄膜的均勻性。


關(guān)鍵詞:晶體振蕩器
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