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FZ900R12KF1

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產品型號FZ900R12KF1

品       牌

廠商性質代理商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式：曾先生查看聯(lián)系方式

更新時間：2016-07-12 10:16:38瀏覽次數(shù)：138次

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經營模式：代理商

商鋪產品：987條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：曾先生 （銷售技術經理）

產品簡介

FZ900R12KF1品牌：英飛凌（Infineon）、優(yōu)派克（eupec）；
產地：源產于*；
技術信息 / Technical Information
IGBT-模塊
IGBT-modules
PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

詳細介紹

FZ900R12KF1品牌：英飛凌(Infineon)、優(yōu)派克（eupec）；

FZ900R12KF1產地：源產于*；

技術信息 / Technical Information

IGBT-模塊

IGBT-modules

PrimePACK™2 模塊采用第三代溝槽柵/場終止IGBT3和增大的第三代發(fā)射極控制二極管

PrimePACK™2 module with Trench/Fieldstop IGBT3, enlarged Emitter Controlled 4 diode

初步數(shù)據(jù) / Preliminary Data

深圳市邁瑞施電子技術有限公司：一家專業(yè)做進口 * 現(xiàn)貨 批發(fā)零售的企業(yè)，

更詳細的內容 敬請登錄公司了解。www.mrs2003。。ｃｏｍ

VCES = 1200V

IC nom = 800A / ICRM = 800A

典型應用 Typical Applications

• 斬波應用 • Chopper Applications

電氣特性 Electrical Features

• 提高工作結溫 Tvj op • Extended Operation Temperature Tvj op

• 高直流電壓穩(wěn)定性 • High DC Stability

• 高短路能力，自限制短路電流 • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

• VCEsat 帶正溫度系數(shù) Circuit Current

• VCEsat  with positive Temperature Coefficient

• 低  VCEsat • Low VCEsat

機械特性 Mechanical Features

• 4 kV 交流   1分鐘 絕緣 • 4 kV AC 1min Insulation

• 封裝的 CTI > 400 • Package with CTI > 400

• 高爬電距離和電氣間隙 • High Creepage and Clearance Distances

• 高功率循環(huán)和溫度循環(huán)能力 • High Power and Thermal Cycling Capability

• 高功率密度 • High Power Density

 

 IGBT, 斬波器 / IGBT-Chopper

zui大額定值 / Maximum Rated Values

 

集電極－發(fā)射極電壓

Tvj = 25°C

VCES

 

1700

 

V

Collector-emitter voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

連續(xù)集電極直流電流

TC = 100°C, Tvj max = 175°C

IC nom

 

800

 

A

Continuous DC collector current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Total power dissipation

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

柵極－發(fā)射極峰值電壓

VGES

 

+/-20

 

V

Gate-emitter peak voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

特征值 / Characteristic Values

 

 

 

min.

typ.

max.

 

集電極－發(fā)射極飽和電壓

IC = 900 A, VGE = 15 V

 

Tvj = 25°C

 

 

1,70

2,05

V

Collector-emitter saturation voltage

IC = 900 A, VGE = 15 V

 

Tvj = 125°C

VCE sat

 

2,00

 

V

 

IC = 900 A, VGE = 15 V

 

Tvj = 150°C

 

 

2,10

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gate threshold voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

柵極電荷

VGE = -15 V ... +15 V

 

 

QG

 

6,40

 

µC

Gate charge

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

輸入電容

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

 

Cies

 

54,0

 

nF

Input capacitance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

反向傳輸電容

f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V

 

Cres

 

2,80

 

nF

Reverse transfer capacitance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

柵極-發(fā)射極漏電流

VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C

 

 

IGES

 

 

400

nA

Gate-emitter leakage current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rise time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

 

 

0,15

 

µs

 

 

 

RGon = 1,6 W

 

Tvj = 150°C

 

 

0,15

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

關斷延遲時間(電感負載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

 

Tvj = 25°C

td off

 

0,70

 

µs

Turn-off delay time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

0,80

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RGoff = 1,6 W

 

Tvj = 150°C

 

 

0,85

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

下降時間(電感負載)

IC = 900 A, VCE = 600 V

 

Tvj = 25°C

tf

 

0,20

 

µs

Fall time, inductive load

VGE = ±15 V

 

Tvj = 125°C

 

0,40

 

µs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

關斷損耗能量 (每脈沖）

IC = 900 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH

Tvj = 25°C

 

 

150

 

mJ

Turn-off energy loss per pulse

VGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C

Eoff

200

mJ

 

RGoff = 1,6 W

 

Tvj = 150°C

 

 

205

 

mJ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

短路數(shù)據(jù)

VGE £ 15 V, VCC = 800 V

 

 

ISC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

結－外殼熱阻

每個 IGBT / per IGBT

 

 

RthJC

 

 

29,5

K/kW

Thermal resistance, junction to case

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

外殼－散熱器熱阻

每個 IGBT / per IGBT

 

 

RthCH

 

16,0

 

K/kW

Thermal resistance, case to heatsink

lPaste = 1 W/(m·K)   /    lgrease = 1 W/(m·K)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

在開關狀態(tài)下溫度

 

 

 

Tvj op

-40

 

150

°C

Diode-斬波器 / Diode-Chopper

 zui大額定值 / Maximum Rated Values

 

反向重復峰值電壓

Tvj = 25°C

VRRM

 

1200

 

V

Repetitive peak reverse voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

連續(xù)正向直流電流

 

IF

 

900

 

A

Continuous DC forward current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

正向重復峰值電流

tP = 1 ms

IFRM

 

1800

 

A

Repetitive peak forward current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

特征值 / Characteristic Values

 

 

 

min.

typ.

max.

 

正向電壓

IF = 900 A, VGE = 0 V

Tvj = 25°C

 

 

1,65

2,15

V

Forward voltage

IF = 900 A, VGE = 0 V

Tvj = 125°C

VF

 

1,55

 

V

 

IF = 900 A, VGE = 0 V

Tvj = 150°C

 

 

1,50

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

反向恢復峰值電流

IF = 900 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C)

Tvj = 25°C

 

 

560

 

A

Peak reverse recovery current

VR = 600 V

Tvj = 125°C

IRM

 

770

 

A

 

 

Tvj = 150°C

 

 

820

 

A

 

 

 

 

 

 

 

 

Recovered charge

VR = 600 V

Tvj = 125°C

Qr

 

200

 

µC

 

 

 

 

 

 

 

 

反向恢復損耗（每脈沖）

IF = 900 A, - diF/dt = 4800 A/µs (Tvj=150°C)

Tvj = 25°C

 

 

50,0

 

mJ

Reverse recovery energy

VR = 600 V

Tvj = 125°C

Erec

 

90,0

 

mJ

 

 

Tvj = 150°C

 

 

105

 

mJ

 

 

 

 

 

 

 

 

結－外殼熱阻

每個二極管 / per diode

 

RthJC

 

 

37,0

K/kW

Thermal resistance, junction to case

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

外殼－散熱器熱阻

每個二極管 / per diode

 

RthCH

 

20,0

 

K/kW

Thermal resistance, case to heatsink

lPaste = 1 W/(m·K)   /    lgrease = 1 W/(m·K)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

在開關狀態(tài)下溫度

 

 

Tvj op

-40

 

150

°C

Temperature under switching conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

反向二極管 / Diode, Reverse

zui大額定值 / Maximum Rated Values

 

反向重復峰值電壓

Tvj = 25°C

VRRM

 

1200

 

V

Repetitive peak reverse voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

連續(xù)正向直流電流

 

IF

 

120

 

A

Continuous DC forward current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

正向重復峰值電流

tP = 1 ms

IFRM

 

240

 

A

Repetitive peak forward current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I2t-值

VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C

I²t

 

0,17

kA²s

I²t - value

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

特征值 / Characteristic Values

 

 

 

min.

typ.

max.

 

正向電壓

IF = 120 A, VGE = 0 V

Tvj = 25°C

VF

 

1,65

2,15

V

Forward voltage

IF = 120 A, VGE = 0 V

Tvj = 125°C

 

1,65

 

V

 

 

 

結－外殼熱阻

每個二極管 / per diode

 

RthJC

 

 

340

K/kW

Thermal resistance, junction to case

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BSM200GB120DLC FD1000R17IE4D_B2 FF150R12ME3G FF450R12ME4_B11

BSM200GB120DN2 FD1000R33HE3-K FF150R12MS4G FF450R17IE4

BSM200GB170DLC FD1200R17HP4_B2 FF150R12RT4 FF450R17ME3

BSM200GB60DLC FD1200R17HP4-K_B2 FF150R12YT3 FF450R17ME4

BSM200GD60DLC FD1200R17KE3-K FF150R17KE4 FF450R17ME4_B11

BSM300G120DLC FD1200R17KE3-K_B2 FF150R17ME3G FF600R06ME3

BSM300G120DN2 FD1400R12IP4D FF200R06YE3 FF600R12IE4

BSM300GA120DLC FD150R12RT4 FF200R12KE3 FF600R12IP4

BSM300GA120DN11S FD1600R17HP4_B2 FF200R12KE4 FF600R12IS4F

BSM300GA120DN2 FD1600R17KF6C_B2 FF200R12KS4 FF600R12KE3

BSM300GA120DN2S FD200R12KE3 FF200R12KT3 FF600R12KF4

BSM300GA160N11S FD200R12PT4_B6 FF200R12KT3_E FF600R12KL4C

BSM300GA170DLC FD200R65KF2-K FF200R12KT4 FF600R12ME4

BSM300GA170DN2 FD250R65KE3-K FF200R12MT4 FF600R12ME4_B11

BSM300GA170DN2S FD300R06KE3 FF200R17KE3 FF600R16KF4

BSM300GAL120DLC FD300R07PE4_B6 FF200R17KE4 FF600R17KE3

BSM300GAR120DLC FD300R12KE3 FF200R33KF2C FF600R17KE3_B2

BSM300GB120DLC FD300R12KS4 FF225R12ME3 FF600R17KF6C_B2

BSM300GB60DLC FD300R12KS4_B5 FF225R12ME4 FF600R17ME4

BSM400GA120DLC FD400R12KE3 FF225R12MS4 FF650R17IE4

BSM400GA120DN2 FD400R12KE3_B5 FF225R17ME3 FF650R17IE4D_B2

BSM400GA120DN2S FD400R33KF2C FF225R17ME4 FF800R12KE3

BSM400GA170DLC FD400R33KF2C-K FF225R17ME4_B11 FF800R12KF4

BSM50GAL120DN2 FF300R12KE3 FF300R06KE3 FF800R12KL4C

BSM600GA120DLC FF300R12KE4 FF300R06KE3_B2 FF800R17KE3

BSM75GB120DN11 FF800R17KP4_B2 FF300R07KE4 FF800R17KE3_B2

BYM300B170DN2 FF900R12IE4 FF300R07ME4_B11 FF800R17KF6C_B2

BYM600A170DN2

英飛凌(Infineon)晶閘管、可控硅、IGBT模塊，優(yōu)派克（eupec）可控硅、可控硅、IGBT模塊。

關鍵詞：散熱器
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