深圳市華科智源科技有限公司
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詳細(xì)摘要： 掃描顯微鏡是一種利用傳播媒介的無(wú)損檢測(cè)設(shè)備。在工作中采用反射或者透射等掃描方式來(lái)檢查元器件、材料、晶圓等樣品內(nèi)部的分層、空洞、裂縫等缺陷。
產(chǎn)品型號(hào)：UTScan400所在地：更新時(shí)間：2023-08-08 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-HTGB高溫柵偏系統(tǒng)，將被測(cè)量元件放置在一定的環(huán)境溫度中，給被測(cè)元件的柵極施加一定的偏置電壓。系統(tǒng)實(shí)時(shí)檢測(cè)每個(gè)材料的漏電流、電壓，當(dāng)被測(cè)材料實(shí)時(shí)漏電流...
產(chǎn)品型號(hào)：GKH-HTGB-C16所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-二極管浪涌電流測(cè)試儀，可測(cè)試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： ★符合標(biāo)準(zhǔn)：試驗(yàn)線路及試驗(yàn)方法滿足JESD22-A108、MIL-STD-750 Method 1038及AEC Q101相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求?！镞m用范圍：系統(tǒng)能滿足各...
產(chǎn)品型號(hào)：HK-HTRB-C16P所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-IOL間歇壽命測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進(jìn)行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗(yàn)。間歇工作壽命試驗(yàn)利用...
產(chǎn)品型號(hào)：HK-IOL-16H所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過(guò)控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方式:鍵合線失效和焊料層老化。實(shí)驗(yàn)的關(guān)...
產(chǎn)品型號(hào)：GKH-PC-3000A所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 設(shè)備擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-5000所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過(guò)特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開通，并測(cè)量過(guò)程中各 種動(dòng)態(tài)參數(shù)，特別是在不同母線電壓，不同溫度下參數(shù)差異， 是評(píng)估 FRD 和 I...
產(chǎn)品型號(hào)：PT1224所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1200A-MT所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： ITC57300是美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)試架構(gòu)，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙...
產(chǎn)品型號(hào)：itc57300所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
產(chǎn)品型號(hào)：所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1600A-MT所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 功能及主要參數(shù)： 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-3000所在地：更新時(shí)間：2023-04-04 在線留言
詳細(xì)摘要： 品牌： 華科智源 名稱： 浪涌電流測(cè)試儀 型號(hào)： HUSTEC-IFSM-1200A 用途： 浪涌電流是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-IFSM-1200A所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查...
產(chǎn)品型號(hào)：ITC55100所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)特制測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參...
產(chǎn)品型號(hào)：PT-1224所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 華科智源結(jié)電容測(cè)試儀，可以測(cè)試MOS管，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)，可...
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-CV-1200所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言
詳細(xì)摘要： 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。
產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-3000所在地：深圳市更新時(shí)間：2023-03-29 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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