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冷凍水旁流綜合水處理器圖紙

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地蚌埠市

更新時(shí)間:2017-08-15 10:32:16瀏覽次數(shù):234次

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冷凍水旁流綜合水處理器圖紙。旁流循環(huán)水處理器是在原有的全流式水處理器的基礎(chǔ)上開發(fā)的新一代產(chǎn)品,產(chǎn)品采用脈沖式低壓電場的原理,根據(jù)水質(zhì)的變化自動(dòng)調(diào)整工作輸出信號(hào),水處理器處理后,水分子聚集度降低,結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,如水分子的偶距增加,性增加,表面張力增大,從而達(dá)到了水分子的溶垢能力,達(dá)到除垢的目的。

冷凍水旁流綜合水處理器圖紙工作原理

安徽勵(lì)進(jìn)環(huán)??萍加邢薰?strong style="LIST-STYLE-TYPE: none; FONT-FAMILY: Arial, Helvetica, sans-serif; FONT-WEIGHT: bold; PADDING-BOTTOM: 0px; FONT-STYLE: normal; PADDING-TOP: 0px; PADDING-LEFT: 0px; MARGIN: 0px; PADDING-RIGHT: 0px; -webkit-user-select: text; -webkit-user-drag: auto">冷凍水旁流綜合水處理器圖紙是在原有全流式水處理器基礎(chǔ)上開發(fā)出來的,該水處理器采用疊加脈沖的低壓電場原理,根據(jù)水質(zhì)自動(dòng)調(diào)整處理信號(hào),并僅需采用旁流式處理,產(chǎn)品適用于循環(huán)水系統(tǒng)殺菌滅藻除垢處理并去除水中懸浮物。脈沖低壓電場捕獲水中成垢離子,除垢看得見。電場產(chǎn)生具有異防垢功能的微晶,持續(xù)防垢48小時(shí)。具有催化活性的電產(chǎn)生活性氧等殺菌因子,和藻類活性物質(zhì)在碳鋼輸水管內(nèi)壁形成Fe3O4致密保護(hù)膜,防止腐蝕。水中懸浮物在水處理器內(nèi)被分離并排出系統(tǒng),使水質(zhì)更清潔。

安徽勵(lì)進(jìn)內(nèi)容底部.jpg


開式旁流.jpg


除垢


水經(jīng)過處理器后,水分子聚合度降低,結(jié)構(gòu)發(fā)生變形,產(chǎn)生一系列物理化學(xué)性質(zhì)的微小彈性變化,如水偶矩增大,性增加,因而增加了水的水合能力和溶垢能力。定的能場改變CaCO 結(jié)晶過程,抑制水垢產(chǎn)生,提供3產(chǎn)生文石結(jié)晶的能量。在電作用下,處理器產(chǎn)生大量具有異防垢功能的微晶,微晶可將水中易成垢離子先去除,形成疏松的文石,經(jīng)自動(dòng)閥排出至系統(tǒng)外的集垢桶內(nèi),便于觀察除垢,讓垢清晰可見。

殺菌/滅藻

電場處理水過程中,溶解氧得到活化,產(chǎn)生O2-、?OH、H2O2以及1O2等活性氧(O2 -是超氧陰離子自由基,?OH是羥基自由基,H2O2 是過氧化氫,O2是單線態(tài)氧)?;钚匝踝杂苫鶎ξ⑸餀C(jī)體產(chǎn)生作用,是造成微生物衰老的zui主要原因。

(1)O2 -可損傷重要的生物大分子,造成微生物機(jī)體損傷;(2)O2 -增加微生物機(jī)體膜脂過氧化,加速衰老。能的微生物:嗜肺軍團(tuán)菌、衣原體、支原體、大腸桿菌、金黃色葡萄球菌、枯草桿菌、黑色變種芽孢、痢疾桿菌、腦膜炎雙球菌、結(jié)核桿菌、肝炎病毒、呼吸道病毒等。能的藻類綠藻:小球藻、柵列藻、裸藻、團(tuán)藻、實(shí)球藻、針連藻、彎月藻、叉星鼓藻、角棘藻、藍(lán)藻螺旋藻、微囊藻、硅藻等。

氧化被膜防腐蝕 

活性氧在管道壁上生成氧化膜,阻止管道腐蝕,運(yùn)行中活性氧對水管壁持續(xù)鍍膜、鈍化。微生物腐蝕、沉積腐蝕被抑制。

設(shè)計(jì)安裝 


安裝
設(shè)計(jì)選型

安裝須知 

1.按安裝方式設(shè)計(jì)時(shí),SCII-F的進(jìn)水口與系統(tǒng)水泵的出水管相連接,SCII-F的出水口與系統(tǒng)水泵的進(jìn)水管相連接。SCII-F的開啟與關(guān)閉由水流開關(guān)進(jìn)行控制。
2.SCII-F的進(jìn)出水口附近應(yīng)設(shè)置壓力表,水處理器進(jìn)出水口的水壓可反映水處理器的工作狀況。
3.水處理器應(yīng)安裝在有較通風(fēng)的室內(nèi)。
4.對于新系統(tǒng),在系統(tǒng)正式起用前,須沖洗整個(gè)管道系統(tǒng),排除系統(tǒng)中的焊渣、鐵絲、鋼管氧化皮等雜質(zhì),排盡系統(tǒng)中的黃銹水。
5.對于結(jié)垢嚴(yán)重(垢厚>3mm)的老系統(tǒng),安裝SCII型旁流水處理器之前應(yīng)預(yù)先清洗整個(gè)系統(tǒng),以防老垢脫落堵塞管道。

F型參數(shù)表 
F型參數(shù) 

工作原理 

勵(lì)進(jìn)LJ-SCII- G 系列F型閉式旁流綜合水處理儀是在原有全流式水處理器基礎(chǔ)上開發(fā)出來的,該水處理器采用疊加脈沖的低壓電場原理,根據(jù)水質(zhì)自動(dòng)調(diào)整處理信號(hào),并僅需采用旁流式處理,產(chǎn)品適用于循環(huán)水系統(tǒng)殺菌滅藻除垢處理并去除水中懸浮物。脈沖低壓電場捕獲水中成垢離子,除垢看得見。


電場產(chǎn)生具有異防垢功能的微晶,持續(xù)防垢48小時(shí)。具有催化活性的電產(chǎn)生活性氧等殺菌因子,和藻類活性物質(zhì)在碳鋼輸水管內(nèi)壁形成Fe3O4致密保護(hù)膜,防止腐蝕。水中懸浮物在水處理器內(nèi)被分離并排出系統(tǒng),使水質(zhì)更清潔。

閉式旁流.jpg

除垢 

水經(jīng)過處理器后,水分子聚合度降低,結(jié)構(gòu)發(fā)生變形,產(chǎn)生一系列物理化學(xué)性質(zhì)的微小彈性變化,如水偶矩增大,性增加,因而增加了水的水合

能力和溶垢能力。定的能場改變CaCO3結(jié)晶過程,抑制水垢產(chǎn)生,提供產(chǎn)生文石結(jié)晶的能量。在電作用下,處理器產(chǎn)生大量具有異防垢功能的微晶,微晶可將水中易成垢離子先去除,形成疏松的文石,經(jīng)自動(dòng)閥排出至系統(tǒng)外的集垢桶內(nèi),便于觀察除垢,讓垢清晰可見。

電場處理水過程中,溶解氧得到活化,產(chǎn)生O2-、·OH、H2O2以及1O2等活性氧(O2-是超氧陰離子自由基,·OH是羥基自由基,H2O2是過氧化氫,1O2是單線態(tài)氧)。活性氧自由基對微生物機(jī)體產(chǎn)生作用,是造成微生物衰老的zui主要原因。(1).O2-可損傷重要的生物大分子,造成微生物機(jī)體損傷;(2).O2-增加微生物集體膜脂過氧化,加速衰老。

殺菌/滅藻 

電場處理水過程中,溶解氧得到活化,產(chǎn)生O2-、?OH、H2O2以及1O2等活性氧(O2 -是超氧陰離子自由基,?OH是羥基自由基,H2O2 是過氧化氫,O2是單線態(tài)氧)?;钚匝踝杂苫鶎ξ⑸餀C(jī)體產(chǎn)生作用,是造成微生物衰老的zui主要原因。

(1)O2 -可損傷重要的生物大分子,造成微生物機(jī)體損傷;(2)O2 -增加微生物機(jī)體膜脂過氧化,加速衰老。能的微生物:嗜肺軍團(tuán)菌、衣原體、支原體、大腸桿菌、金黃色葡萄球菌、枯草桿菌、黑色變種芽孢、痢疾桿菌、腦膜炎雙球菌、結(jié)核桿菌、肝炎病毒、呼吸道病毒等。能的藻類綠藻:小球藻、柵列藻、裸藻、團(tuán)藻、實(shí)球藻、針連藻、彎月藻、叉星鼓藻、角棘藻、藍(lán)藻螺旋藻、微囊藻、硅藻等。

氧化被膜防腐蝕 

活性氧在管道壁上生成氧化膜,阻止管道腐蝕,運(yùn)行中活性氧對水管壁持續(xù)鍍膜、鈍化。微生物腐蝕、沉積腐蝕被抑制。

設(shè)計(jì)安裝 

安裝
設(shè)計(jì)選型

 安裝須知 

1.按安裝方式設(shè)計(jì)時(shí),SCII-G的進(jìn)水口與系統(tǒng)水泵的出水管相連接,SCII-G的出水口與系統(tǒng)水泵的進(jìn)水管相連接。SCII-G的開啟與關(guān)閉由水流開關(guān)進(jìn)行控制。
2.SCII-G的進(jìn)出水口附近應(yīng)設(shè)置壓力表,水處理器進(jìn)出水口的水壓可反映水處理器的工作狀況。
3.水處理器應(yīng)安裝在有較通風(fēng)的室內(nèi)。
4.對于新系統(tǒng),在系統(tǒng)正式起用前,須沖洗整個(gè)管道系統(tǒng),排除系統(tǒng)中的焊渣、鐵絲、鋼管氧化皮等雜質(zhì),排盡系統(tǒng)中的黃銹水。
5.對于結(jié)垢嚴(yán)重(垢厚>3mm)的老系統(tǒng),安裝SCII型旁流水處理器之前應(yīng)預(yù)先清洗整個(gè)系統(tǒng),以防老垢脫落堵塞管道。

 G型參數(shù)表 

G型參數(shù)

 定的能場改變CaCO3結(jié)晶過程,抑制方解石產(chǎn)生,提供產(chǎn)生文石結(jié)晶的能量

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