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薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀

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參考價(jià): ￥ 45000

訂貨量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)ZJD-B介質(zhì)損耗測(cè)試儀

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更新時(shí)間：2022-07-12 14:41:27瀏覽次數(shù)：195次

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  介電常數(shù)測(cè)定

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北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：260條

所在地區(qū)：北京北京市

聯(lián)系人：于夢(mèng)洋（經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

一、概述：薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)0高的160MHz

詳細(xì)介紹

一、概述：

薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)0高的160MHz。

雙掃描技術(shù)：測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。

雙測(cè)試要素輸入：測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。

雙數(shù)碼化調(diào)諧：數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。

自動(dòng)化測(cè)量技術(shù)：對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。

全參數(shù)液晶顯示：數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。

DDS數(shù)字直接合成的信號(hào)源：確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。

計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路0優(yōu)化：使測(cè)試回路，殘余電感減至0低，* Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。

ZJD-C型介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀又稱介電常數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀、介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗角正切測(cè)試儀、高頻/工頻介電常數(shù)測(cè)試儀。作為0新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器。

二、主要技術(shù)特性：

薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀Q 值測(cè)量范圍:2 ～ 1023,量程分檔：30、100﹑300﹑1000，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔

固有誤差:≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）,≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）

工作誤差:≤ 7 ％±滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）,≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）

電感測(cè)量范圍: 4.5nH ～ 140mH

電容直接測(cè)量范圍: 1 ～ 200pF

主電容調(diào)節(jié)范圍: 18 ～ 220pF

主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度: 100pF 以下 ± 1pF;100pF 以上 ± 1 ％

信號(hào)源頻率覆蓋范圍: 100kHz ～ 160MHz

頻率分段（虛擬）: 100 ～ 999.999kHz, 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz,100 ～ 160MHz

頻率指示誤差: 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字

三、夾具工作特性

1、平板電容器：

極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm可選

極片間距可調(diào)范圍：≥15mm

2、夾具插頭間距：25mm±0.01mm

3、夾具損耗正切值：≤4×10－4 （1MHz）

4、測(cè)微桿分辨率：0.001mm

四、薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀配置：

序號(hào)	配置	單價(jià)（萬(wàn)元）	數(shù)量/單位	廠家
1	Q表	1.8萬(wàn)-2.8萬(wàn)	1臺(tái)	智德創(chuàng)新
2	夾具		1臺(tái)	智德創(chuàng)新
3	電感		九只	智德創(chuàng)新
4	測(cè)試線		3根	智德創(chuàng)新
5	隨機(jī)文件		1套	智德創(chuàng)新
6	液體電極		1套	智德創(chuàng)新

北京智德創(chuàng)新儀器設(shè)備有限公司為您提供薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀的參數(shù)、價(jià)格、型號(hào)、原理等信息，薄膜介質(zhì)損耗測(cè)試儀產(chǎn)地為北京、品牌為智德創(chuàng)新，型號(hào)為ZJD-B介質(zhì)損耗測(cè)試儀，價(jià)格為2萬(wàn)-5萬(wàn)，更多相關(guān)信息可，公司客服電話7*24小時(shí)為您服務(wù)

關(guān)鍵詞：電容器

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