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高精度雪崩耐量測(cè)試儀

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式:李想查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2018-08-24 13:37:28瀏覽次數(shù):568次

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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:41條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:李想 (項(xiàng)目經(jīng)理)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
外形尺寸 ?800x800x1800mmmm 用途 IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGB
重量 210kg    

ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng),該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

詳細(xì)介紹

西安廠商直供雪崩耐量測(cè)試儀

ENX2020  雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)

概述

半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量,表示施加電壓時(shí)的抗擊穿性。對(duì)于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場(chǎng)合,就要考慮器件的雪崩能量,電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定,因此對(duì)于反激的應(yīng)用場(chǎng)合,電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下,功率器件都會(huì)降額,從而留有足夠的電壓余量,但是一些電源在輸出短路時(shí),初級(jí)會(huì)產(chǎn)生較大的電流,加上初級(jí)電感,器件就會(huì)有雪崩損壞的可能,因此在這樣的應(yīng)用條件下,就要考慮器件的雪崩能量。另外,由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載,而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生*的沖擊電流,因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測(cè)試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測(cè)試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測(cè)試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測(cè)試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020  雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測(cè)試夾具、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測(cè)試端口(根據(jù)客戶需求)等多個(gè)部分。

規(guī)格/環(huán)境要求

電壓頻率:50Hz±1Hz

環(huán)境溫度:1540

工作濕度:溫度不高于+30℃時(shí),相對(duì)濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時(shí)相對(duì)濕度5%-45%,無冷凝。

大氣壓力: 86Kpa~106Kpa

海拔高度:不超過3000米。

尺    寸:800x800x1800mm

質(zhì)    量:210KG

工作電壓:AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

系統(tǒng)功耗:320W

通信接口:USB RS232

技術(shù)指標(biāo)

配置

測(cè)試范圍

測(cè)試參數(shù)

條件

范圍

電壓

1000V

IGBTs

絕緣柵雙極型晶體管

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

電流

200A

MOSFETs

MOS場(chǎng)效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA

 

DIODEs

二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J

 

 

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測(cè)

50mV/A(取決于傳感器)

 

 

 

感性負(fù)載

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

 

 

 

重復(fù)間隙時(shí)間

1-60s可調(diào)(步進(jìn)1s)重復(fù)次數(shù):1-50次

關(guān)鍵詞:傳感器

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