測量范圍	IGBT,MOS，二極管雪崩能量測試	測量精度	0.2%+2LSB
產(chǎn)地	國產(chǎn)	供貨周期	30天
外形尺寸	800×800×1800mm	用途	失效分析
重量	210kg

ENX2020IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

詳細(xì)介紹

IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

ENX2020 雪崩耐量測試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測試端口（根據(jù)客戶需求）等多個部分。

IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

配置	測試范圍	測試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V-4500V	20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA-200A	1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J-2000J	1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負(fù)載	10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
			重復(fù)間隙時間	1-60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1-50次

關(guān)鍵詞：傳感器

以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)，環(huán)保在線對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。溫馨提示：為規(guī)避購買風(fēng)險，建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

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IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備

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IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

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