DTB結(jié)晶器是一種晶漿內(nèi)循環(huán)結(jié)晶器。它的典型特點(diǎn)是結(jié)晶器內(nèi)部有攪拌器、導(dǎo)流筒和擋板，以及配套的換熱裝置、細(xì)晶消除裝置。
晶漿料液通過內(nèi)置的攪拌器從內(nèi)導(dǎo)流筒的底部上升，至液面處與過飽和度較大的區(qū)域接觸，消耗掉過飽和度。又沿著內(nèi)導(dǎo)流筒和外導(dǎo)流筒之間的環(huán)形局域下降，在結(jié)晶器筒體和外導(dǎo)流筒之間的環(huán)隙處，晶漿液和澄清液分離，晶漿液繼續(xù)向下循環(huán)。澄清液從外環(huán)隙進(jìn)入細(xì)晶消除裝置溶解掉過量的細(xì)小晶核，這保證了晶核不會過量，使得晶體的粒度分布較均勻。
在蒸發(fā)結(jié)晶過程中,過飽和度的產(chǎn)生速率取決于蒸發(fā)速率,即設(shè)備的蒸發(fā)強(qiáng)度。蒸發(fā)強(qiáng)度愈大,其產(chǎn)生過飽和度的速度愈快,越易形成過高的過飽和度。而過飽和度的消除主要依賴于晶體的自發(fā)成核和晶體的成長過程。如果在結(jié)晶器內(nèi),具有足夠的晶體表面和較快的成長速率,由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過飽和度,能全部成長在晶體表面上,溶液的過飽和度不會因為超過溶液的較大過飽和度而使溶質(zhì)以成核過程來消除過飽和度,從而不會產(chǎn)生大量的晶核。
如果溶液中晶體表面不足,晶體的生長不足以消除由于蒸發(fā)所產(chǎn)生的過飽和度,使得溶液的過飽和度過高,而處于不穩(wěn)定區(qū)域,溶液的過飽和度將以自發(fā)成核過程來消耗過飽和度,從而形成大量的細(xì)小顆粒。因而需要對蒸發(fā)結(jié)晶過程中的蒸發(fā)強(qiáng)度進(jìn)行控制，使結(jié)晶體系的過飽和度始終處于結(jié)晶介穩(wěn)區(qū)之內(nèi)，從而保證所設(shè)計的蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備能生產(chǎn)出符合設(shè)計任務(wù)要求的產(chǎn)品。
晶體在生長區(qū)的停留時間越長,晶體生長的時間越長,晶體粒度越大。大粒度晶體的生成需要有足夠的生長時間。我們將在準(zhǔn)確的結(jié)晶動力學(xué)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,根據(jù)晶體生長速率和設(shè)計任務(wù)中所要求的粒度設(shè)計成合適的DTB結(jié)晶器。
在原有DTB結(jié)晶器的基礎(chǔ)上，康景輝對該結(jié)晶器做了大量改進(jìn)，使得其更加符合實際生產(chǎn)的工況。
操作方法：有連續(xù)結(jié)晶、間歇結(jié)晶
結(jié)晶方法：水冷卻結(jié)晶、蒸發(fā)結(jié)晶、冷凍結(jié)晶、真空結(jié)晶
設(shè)計方法：MDP2017
會員1.png)
