ST-DC2000_X半導(dǎo)體管特性圖示儀
顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線;
測(cè)量半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù);
能在不損壞器件的情況下,測(cè)量半導(dǎo)體器件的極限參數(shù);
晶體管雙簇顯示,029/8730/9001垂詢
參數(shù)查看,快速清晰
大膽發(fā)現(xiàn)從未如此簡(jiǎn)單。ST-DC2000_X半導(dǎo)體管特性圖示儀可將檢定和測(cè)試設(shè)置的復(fù)雜程度降低高達(dá) 50%,提供清晰且不折不扣的測(cè)量和分析功能。另外,嵌入式測(cè)量專業(yè)知識(shí)可提供測(cè)試指南并讓您對(duì)結(jié)果充滿信心。
測(cè)量、 切換、 重復(fù)
◆對(duì)高電容測(cè)試連接進(jìn)行穩(wěn)定的低電流測(cè)量
◆可在高電容系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的低電流測(cè)量。
◆四種型號(hào)的源測(cè)量單位 (SMU) 可供選擇,可通過定制滿足您所有的 I-V 測(cè)量需求。
◆通過提供現(xiàn)場(chǎng)可安裝單元和可選的預(yù)放大器模塊,可確保您獲得*準(zhǔn)確的低電流測(cè)量,而停機(jī)時(shí)間很少甚至沒有。
◆通過高測(cè)試連接電容進(jìn)行穩(wěn)定的低電流測(cè)量特點(diǎn)
測(cè)試種類及參數(shù)
IGBT
ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;VGEON;VF;GFS
MOSFET / MOS場(chǎng)效應(yīng)管
IDSS;IDSV;IGSSF; IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
J-FET / J型場(chǎng)效應(yīng)管
IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF
晶體管(NPN/PNP)
ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
DIODE / 二極管
IR;BVR ;VF
ZENER / 穩(wěn)壓、齊納二極管
IR;BVZ;VF;ZZ
DIAC / 雙向觸發(fā)二極管
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
OPTO-COUPLER / 光電耦合
ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
RELAY / 繼電器
RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME
TRIAC / 雙向可控硅
VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
SCR / 可控硅
IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;IGT;VGT;IL;IH
STS / 硅觸發(fā)可控硅
IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;VPK-;VGSW+;VGSW-
DARLINTON / 達(dá)林頓陣列
ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;BVCER;BVCEE;BVCES;BVCBO;BVEBO;hFE;VCESAT;VBESAT;VBEON
REGULATOR / 三端穩(wěn)壓器
Vout;Iin;
OPTO-SWITCH / 光電開關(guān)
ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
OPTO-LOGIC / 光電邏輯
IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
MOV / 金屬氧化物壓變電阻
ID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
SSOVP / 固態(tài)過壓保護(hù)器
ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、IH-;;IBO+IBO-;VBO+ VBO-;VZ+ VZ-
VARISTOR / 壓變電阻
ID+; ID-;VC+ ;VC
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