射頻同軸電纜SYV-75-7

絕緣生產(chǎn)用的模具設(shè)計(jì)和加工也是關(guān)鍵，應(yīng)該保證產(chǎn)品達(dá)到較理想的均勻結(jié)構(gòu)，使等效介點(diǎn)常數(shù)達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

物理發(fā)泡PE其衰減在低頻是合格，而高頻(如超過800MHz)時(shí)超差，大都與介質(zhì)損耗角正切值和等效介點(diǎn)常數(shù)偏大有關(guān)系，或者與外導(dǎo)體編織密度過小，內(nèi)導(dǎo)體外直徑偏小有關(guān)系。另外，衰減常數(shù)還取決與發(fā)泡度的大小。在阻抗和回波允許的范圍內(nèi)適當(dāng)提高發(fā)泡度(可以通過增加發(fā)泡度，提高阻抗，降低衰減。)對提高電纜的衰減常數(shù)有幫助，同時(shí)還可以降低成本。

射頻同軸電纜SYV-75-7

射頻電纜的衰減與導(dǎo)體，介質(zhì)，結(jié)構(gòu)尺寸，工藝水準(zhǔn)和工作的頻率都有關(guān)。

1、在50MHz以下衰減常數(shù)偏大或超差，而高頻有余量，常常是鋁塑復(fù)合帶中的鋁基太薄所致，在頻率比較低的時(shí)候，鋁基的厚度小于或與該頻率的透射深度相當(dāng)，造成了αR過大。根據(jù)理論計(jì)算，f=50MHz時(shí)的鋁層透射深度為12.2µm。一般采取12~15µm的鋁基可以解決這個(gè)問題。(當(dāng)然，如果考慮到屏蔽衰減的要求可以再適當(dāng)加厚)

2、選擇PE在使用頻率內(nèi)的tanδ較大，如達(dá)到x×10-3級別，則會造成絕緣結(jié)構(gòu)的tanδ增大，從而使電纜的衰減增大。所以要注意2個(gè)問題，一是tanδ要小(如在400MHz時(shí)的tanδ為2~4×10-4，越小越好)，一是工藝性能(如熔融指數(shù)為0.5~10)應(yīng)適應(yīng)與絕緣的擠出，不同的熔融指數(shù)有不同的溫度。

3、外導(dǎo)體編織一般60%-80%為宜，偏大對降低衰減效果不是很明顯。

4、絕緣生產(chǎn)用的模具設(shè)計(jì)和加工也是關(guān)鍵，應(yīng)該保證產(chǎn)品達(dá)到較理想的均勻結(jié)構(gòu)，使等效介點(diǎn)常數(shù)達(dá)到設(shè)計(jì)要求。