污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過(guò)濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過(guò)濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
深圳維爾克斯光電有限公司
會(huì)員1.png)
深圳維爾克斯光電有限公司
| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地
聯(lián)系方式：查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間：2024-02-29 16:04:56瀏覽次數(shù)：115次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線Yb ：YAG晶體的950μs壽命為2 F 5/2 energy能級(jí)，量子缺陷僅為?9％。Yb：KGW晶體具有較大的增益帶寬，能夠在鎖模工作模式下獲得
摻Yb晶體，Yb:YVO4，Yb:Yab，Yb:YAP，Yb:YLF，Yb:YAG, Yb:KGW, Yb:CaF2, Yb:KYW晶體
摻雜Yb3+晶體具有高的激光效率、較寬的熒光光譜和較長(zhǎng)的熒光壽命，非常適合波長(zhǎng)調(diào)諧、鎖模和調(diào)Q運(yùn)轉(zhuǎn)。Optogama公司提供很多三價(jià)稀土離子 Yb3+的選擇，例如Yb:YVO4，Yb:Yab，Yb:YAP，Yb:YLF，Yb:YAG, Yb:KGW, Yb:CaF2, Yb:KYW晶體。
Yb:YVO4晶體主要特點(diǎn)：
-簡(jiǎn)單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過(guò)程。
-寬光發(fā)射光譜
-低量子缺陷
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:YVO4晶體主要應(yīng)用：
-高功率連續(xù)波調(diào)Q鎖模激光器
-薄盤(pán)激光器。
Yb:YVO4晶體技術(shù)特性：
| 吸收峰波長(zhǎng) | 985 nm |
| 峰值吸收截面 | 7.5×10-20厘米2 |
| 峰值吸收帶寬 | 5 nm |
| 激光波長(zhǎng) | 1027 nm |
| 2F5/2鐿能級(jí)的壽命 | 250 μs |
| 發(fā)射截面@1027 nm | 0.5×10-20厘米2 |
| 折射率@1064 nm | n0=1.93，ne=2.1 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 四邊形 |
| 密度 | 4.22克/厘米3 |
| Mohs硬度 | 5 |
| 熱導(dǎo)率 | ~5 Wm-1K-1 |
| DN/DT | 8.41×10-6(//c)k-1, 15.5×10-6((//a)k-1 |
| 熱膨脹系數(shù) | 1.5×10-6(//a)k-1, 8.2×10-6(//c)k-1 |
| 典型摻雜水平 | 1%-3% |
Yb:YVO4晶體的吸收和發(fā)射曲線
Yb:Yab晶體主要特點(diǎn)：
-自倍頻激光晶體
-高導(dǎo)熱率
-976 nm附近寬吸收帶寬
-高吸收和高發(fā)射截面
-低量子缺陷
Yb:Yab晶體主要應(yīng)用：
-高功率連續(xù)激光器
-鎖模飛秒激光器
-連續(xù)波鎖模自倍頻激光器
Yb:Yab晶體技術(shù)特性：
| 吸收峰波長(zhǎng) | 976 nm |
| 峰值吸收截面 | 3.8×10-20厘米2 |
| 峰值吸收帶寬 | 20 nm |
| 激光波長(zhǎng) | 1040 nm |
| 壽命2F5/2能級(jí) | 680 μs |
| 發(fā)射截面@1040 nm | 0.5×10-20厘米2 |
| 折射率@632.8 nm | n0=1.7757，ne=1.7015 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 三角狀 |
| 密度 | 3.84克/厘米3 |
| Mohs硬度 | 7.5 |
| 熱導(dǎo)率 | ~6 Wm-1K-1 |
| DN/DT | 1.4×10-6(//a)k-1, 4.8×10-6(//c)k-1 |
| 熱膨脹系數(shù) | 2×10-6(//a)k-1, 9.5×10-6(//c)k-1 |
| 典型摻雜水平 | 5-8% |
Yb:YAP晶體的主要特點(diǎn)：
-雙軸正交晶體
-高吸收介子截面依賴于晶體的取向
-高導(dǎo)熱率
-低量子缺陷
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:YAP晶體的主要應(yīng)用：
-飛秒激光器和再生放大器
-連續(xù)和被動(dòng)鎖模薄盤(pán)激光器
Yb:YAP晶體的技術(shù)特性：
| 吸收峰波長(zhǎng) | 978 nm |
| 峰值吸收截面 | 6.6×10-20厘米2 |
| 峰值吸收帶寬 | 4nm |
| 激光波長(zhǎng) | 1040 nm |
| 壽命2F5/2能級(jí) | 500 μs |
| 發(fā)射截面@1040 nm | 0.5×10-20厘米2 |
| 折射率@632.8 nm | 1.96(//a)，1.94(//b)，1.97(/c) |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 正交性 |
| 密度 | 5.35克/厘米3 |
| Mohs硬度 | 8.5 |
| 熱導(dǎo)率 | 11.7 (//a), 10.0 (//b), 13.3 (//c) W/m*K |
| DN/DT | 7.7×10-6 (//a) K-1, 11.7×10-6 (//b) K-1, |
| 熱膨脹系數(shù) | 2.32×10-6 (//a) K-1, 8.08×10-6 (//b) K-1, |
| 典型摻雜水平 | <2 at.% |
Yb:YLF晶體的主要特點(diǎn)：
-簡(jiǎn)單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過(guò)程。
-寬光發(fā)射光譜
-寬調(diào)諧范圍
-吸收光譜與InGaAs激光二極管的發(fā)射波長(zhǎng)很好地匹配。
-低量子缺陷
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:YLF晶體的主要應(yīng)用：
-二極管泵浦鎖模激光器
-薄盤(pán)激光器
Yb:YLF晶體的技術(shù)特性：
| 吸收峰波長(zhǎng) | 960 nm |
| 峰值吸收截面 | 10.5×10-21厘米2 |
| 峰值吸收帶寬 | ~10 nm |
| 激光波長(zhǎng) | 1017 nm |
| 壽命2F5/2能級(jí) | 2.1毫秒 |
| 發(fā)射截面@1053 nm | 4.1×10-21厘米2 |
| 折射率@1040 nm | ~1.4 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 四邊形 |
| 密度 | 3.95克/厘米3 |
| Mohs硬度 | 5 |
| 熱導(dǎo)率 | 6 Wm-1K-1 |
| DN/DT | -4.6×10-6(//c)k-1, -6.6×10-6(//a)k-1 |
| 熱膨脹系數(shù) | 8×10-6(//c)k-1, 13×10-6(//a)k-1 |
| 典型摻雜水平 | 5%-20% |
Yb:YAG晶體主要特點(diǎn)：
-簡(jiǎn)單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過(guò)程。
-940 nm寬吸收帶
-2F5/2鐿能級(jí)的長(zhǎng)壽命
-低量子缺陷
-可根據(jù)要求提供定制
Yb:YAG晶體主要應(yīng)用：
-材料加工，微加工，焊接，切割
-高效高功率薄盤(pán)激光器。
Yb:YAG晶體技術(shù)特性：
| 吸收峰波長(zhǎng) | 942 nm |
| 峰值吸收截面 | 7,7×10-21厘米2 |
| 峰值吸收帶寬 | 18 nm |
| 激光波長(zhǎng) | 1030 nm |
| 壽命2F5/2鐿能級(jí) | 950μs |
| 發(fā)射截面@1030 nm | 2,1×10-20 厘米2 |
| 折射率@632，8 nm | 1,83 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 立方體 |
| 密度 | 4，56克/厘米3 |
| Mohs硬度 | 8,5 |
| 熱導(dǎo)率 | ~13 Wm-1 K-1 |
| DN/DT | 7,8×10-6 K-1 |
| 熱膨脹系數(shù) | 6,2×10-6 K-1 |
| 典型摻雜水平 | 1-20點(diǎn)% |
Yb:KGW晶體主要特點(diǎn)：
-大增益帶寬
-高發(fā)射截面
-小量子缺陷
-高摻雜水平
-高導(dǎo)熱率
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:KGW晶體主要應(yīng)用：
-飛秒激光器和再生放大器
-連續(xù)和被動(dòng)鎖模薄盤(pán)激光器
Yb:KGW晶體技術(shù)特性：
| 吸收峰波長(zhǎng) | 980 nm |
| 峰值吸收截面 | 12×10-20厘米2(e\x{e76f}Nm) |
| 峰值吸收帶寬 | 3，7 nm |
| 激光波長(zhǎng) | 1025(1020-1060)nm |
| 壽命2F5/2鐿能級(jí) | 240個(gè)μs |
| 1030 nm發(fā)射截面 | 3×10-20 厘米2(e\x{e76f}Nm) |
| 1064 nm折射率 | ng = 2,037 ,np = 1,986, nm = 2,033 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 單斜 |
| 密度 | 7，25克/厘米3 |
| Mohs硬度 | 4-5 |
| 熱導(dǎo)率 | Ka=2，6 Wm-1 K-1 |
| DN/DT | DNp/dt=-15，7×10-6 K-1 |
| 熱膨脹系數(shù) | αp = 1,7×10-6 K-1 |
| 典型摻雜水平 | 1-5點(diǎn)% |
Yb:KGW晶體吸收和發(fā)射曲線：
Yb:CaF2晶體的主要特點(diǎn)：
-各向同性晶體(立方對(duì)稱)
-低量子缺陷
-2F5/2鐿能級(jí)的長(zhǎng)壽命
-寬光傳輸
-低分散行為
-強(qiáng)激光照射下有限非線性效應(yīng)
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:CaF2晶體的主要應(yīng)用：
-二極管泵浦飛秒固體激光器的研究
-高平均功率超短脈沖
Yb:CaF2晶體的技術(shù)特性：
| 吸收峰波長(zhǎng) | 976 nm |
| 峰值吸收截面 | 0.54×10-20厘米2 |
| 激光波長(zhǎng) | 1020-1060 nm |
| 壽命2F5/2能級(jí) | 2.4毫秒 |
| 發(fā)射截面@1053 nm | 0.16×10-20厘米2 |
| 折射率@1040 nm | 1.43 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 立方體 |
| 密度 | 3.18克/厘米3 |
| Mohs硬度 | 4 |
| 熱導(dǎo)率 | 5.4 Wm-1K-1 |
| DN/DT | -11.3×10-6 K-1 |
| 熱膨脹系數(shù) | 18.9×10-6 K-1 |
| 典型摻雜水平 | 1-5% |
Yb:KYW晶體的主要特點(diǎn)：
-大增益帶寬
-高發(fā)射截面
-小量子缺陷
-高摻雜水平
-足夠高的導(dǎo)熱系數(shù)
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Yb:KYW晶體的主要應(yīng)用：
-飛秒激光器和再生放大器
-連續(xù)和被動(dòng)鎖模薄盤(pán)激光器
Yb:KYW晶體的技術(shù)特性：
| 吸收峰波長(zhǎng) | 980 nm |
| 峰值吸收截面 | 14×10-20厘米2(e\x{e76f}Nm) |
| 峰值吸收帶寬 | ~3 nm |
| 激光波長(zhǎng) | 1020(1020-1050)nm |
| 壽命2F5/2鐿能級(jí) | 230μs |
| 1030 nm發(fā)射截面 | 2,5×10-20 厘米2(e\x{e76f}Nm) |
| 折射率@1064 nm | ng = 2.037,np = 1.986,nm = 2.033 |
| 晶體結(jié)構(gòu) | 單斜 |
| 密度 | 6，61克/厘米3 |
| Mohs硬度 | 4-5 |
| 熱導(dǎo)率 | ~3,3 |
| DN/DT | DNp/dt=-13，08×10-6 K-1 |
| 熱膨脹系數(shù) | αp = 1,9×10-6 K-1 |
| 典型摻雜水平 | 1-100 at.% |
Yb:KYW晶體的吸收和發(fā)射曲線：
您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
環(huán)保在線 設(shè)計(jì)制作，未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請(qǐng)輸入賬號(hào)
請(qǐng)輸入密碼
請(qǐng)輸驗(yàn)證碼
