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上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積

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鄭州科探儀器設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品簡介

上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡單，與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。

詳細(xì)介紹

PECVD簡介

上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。

上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡單，與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。

上海實(shí)驗(yàn)室PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積

KT-PE150S 性能參數(shù)

型號	KT-PE150S	KT-PE500Z
信號頻率	13.56MHz±0.005%
功率輸出范圍	0-150W	0-500W
功率穩(wěn)定度	≤5W
最大反射功率	40W
射頻輸出接口	7/16,female 50 Ω
功率穩(wěn)定度	≤5W
匹配方式	手動調(diào)節(jié)匹配	500W自動匹配
耦合方式	電感式耦合
輝光壓力	≤30Pa
供電電壓	50/60Hz 220v±10%
整機(jī)效率	≥70%
冷卻方式	強(qiáng)制風(fēng)冷
支持爐管直徑	φ25-φ80	φ25-φ150
感應(yīng)區(qū)	210mm
整機(jī)重量	48KG
整機(jī)尺寸:H x W x D(mm)	600 x 600x 1100