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EV、HEV用IGBT模塊

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更新時間：2023-11-12 12:38:59瀏覽次數(shù)：241次

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富士電機（中國）有限公司

經(jīng)營模式：其他

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產(chǎn)品簡介

采用直接水冷銅散熱片基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)、實現(xiàn)了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊產(chǎn)品中分別內(nèi)置有6個IGBT和FWD。此外，還內(nèi)置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

詳細介紹

※點擊產(chǎn)品圖像即可查看等效電路圖。

VCE（sat）: at Tj=25°C, Chip

Package	Device type	VCES Volt	IC（Cont） Amps.	IC（Peak） Amps.	VCE（sat） Typ. Volts	VF Typ. Volts	Net mass Grams
Package	Device type	VCES Volt	IC（Cont） Amps.	IC（Peak） Amps.	VCE（sat） Typ. Volts	VF Typ. Volts	Net mass Grams
M651	6MBI400VW-065V	650	200	400	2.00 （IC=400A）	1.70 （IF=400A）	660g
M652	6MBI600VW-065V	650	300	600	2.00 （IC=600A）	1.70 （IF=600A）	900g