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硫族化合物晶體

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Badikov's Crystals在大尺寸硫化物晶體的領(lǐng)域方面具有許多優(yōu)勢(shì)，主要涉及HgGa2S4晶體，BaGa4Se7，BaGa4S7，AgGaS2，AgGaSe2等高質(zhì)量激光晶體

詳細(xì)介紹

Badikov大尺寸硫化物晶體，硫族化合物晶體

BaGa4Se7晶體

采用Bridgman-Stockbarger方法在實(shí)驗(yàn)室中生長(zhǎng)了BaGa4S7(BGS)晶體，獲得了其含Se的類似物BaGa4Se7(BGSe)，其尺寸大到足以測(cè)量色散系數(shù)和折射系數(shù)，這是預(yù)測(cè)相位相互作用特性的先決條件。

BaGa4Se7晶體結(jié)構(gòu)與物理特性

結(jié)構(gòu)與物理特性
晶格對(duì)稱性	單斜
空間群	P_C
熔點(diǎn)（℃）	1050
光學(xué)均勻度（折射率偏差）	Δn=1*10^-4
吸收系數(shù)（cm^-1）	<0.005
晶胞參數(shù)（?）	a=7.62，b=6.51，c=14.70，β=121，2⁰
光學(xué)與非線性特性
透射譜范圍（μm）	0.47~18
能隙（eV）	2.64
非線性系數(shù)	d₁₁=18.2 pm/V d₁₃=20.6 pm/V
雙折射率	Δn=0.08 @1μm

BaGa4Se7晶體規(guī)格參數(shù)

尺寸規(guī)格	晶向
BaGa4Se7柱狀晶體
6×6×15	Type II，φ=5.8°，θ=90°
8×8×25	Type II，φ=33.5°，θ=90°
10×9×20	Type I，φ=43.3°，θ=0°
12×12×35	Type I，φ=46.46°，θ=0°
BaGa4Se7平板晶體
5×5×1	Type I，θ=40.7°，φ=0°
8×8×1	Type I，θ=46.46°，φ=0°
12×12×1	Type I，θ=43.3°，φ=0°

BaGa4Se7晶體工藝公差表

公差類型	參數(shù)
通光孔徑公差	+0.1/-0 mm
厚度公差	+0.1/-0 mm
角度公差（φ和θ）	+/-30 arcmin
垂直公差	15 arcmin
孔徑倒角	0.1~0.3mm
平行度	<120 arcsec
平整度	<λ/6@633nm
面型精度	30/20，S/D
軸向	±0.5°，@所有軸

Badikov的晶體實(shí)驗(yàn)室具有50多年的硫族化合物晶體的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，以及超過(guò)30年的非線性激光晶體，硫化物非線性晶體的商業(yè)供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)。團(tuán)隊(duì)已開(kāi)發(fā)出的培養(yǎng)技術(shù)，大型高質(zhì)量晶體已準(zhǔn)備好用于商業(yè)供應(yīng)：BaGa₄Se₇，BaGa₄S₇，BaGa₂GeSe₆，BaGa₂GeS₆，Ba₂Ga₈GeS₁₆。Badikov是大尺寸HgGa₂S₄晶體的制造商。您也可以訂Hg_1-xCd_xGa₂S₄晶體。還生長(zhǎng)了以下具有高光學(xué)質(zhì)量的元素：Ag₃AsS₃，Ag₃SbS₃，AgGaS₂，AgGaSe₂，AgGa_1-x In_xS₂，AgGa_xIn_1-xSe₂，AgGaGeS₄，AgGaGe₅Se₁₂，HgGa₂S₄，Hg_1-xCd_xGa₂S₄，PbIn₆Te₁₀，PbGa₆Te₁₀，Pb_1-xCa_xIn₆Te₁₀，Tl₄HgI₆，PbGa₂GeSe₆，GaSe等。團(tuán)隊(duì)可以根據(jù)用戶的研究任務(wù)，對(duì)單晶生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行研究，并合成任何數(shù)量的硫化物晶體。我們一直在尋找和開(kāi)發(fā)新的晶體?，F(xiàn)在已經(jīng)生長(zhǎng)出了尚未研究或尚未研究的晶體，例如：HgIn₂Se₄、HgIn₂S₄、Fe₂In₂Te₅、Fe₂Mn₂Se₅。

AgGaS2晶體簡(jiǎn)介

AgGaS2晶體是常見(jiàn)的硫化物晶體，通常用來(lái)二倍頻和三波混頻。用適合的光源進(jìn)行泵浦，基于這類硫化物非線性晶體的參量振蕩可以產(chǎn)生光譜范圍1~10微米的波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)諧的激光。高質(zhì)量的非線性晶體AgGaS2和其較長(zhǎng)的尺寸使實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率變得可能。用摻Nd的YAG激光器（1064nm）的單皮秒脈沖泵浦AgGaS2的參量發(fā)生已被證實(shí)覆蓋了2.2~7.4微米范圍。由于非共線雙晶結(jié)構(gòu)，比之前報(bào)道過(guò)的（在該光譜范圍用皮秒脈沖泵浦的光學(xué)參量振蕩）更高的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)了。而且基于單個(gè)的AgGaS2晶體的雙通的OPO也實(shí)現(xiàn)了。該器件與雙晶OPO相比，在不損失轉(zhuǎn)換效率的情況下具有一定優(yōu)勢(shì)。

AgGaS2晶體參數(shù)表

物理結(jié)構(gòu)特性
晶格對(duì)稱性以及點(diǎn)群	四方晶系，D_2d
空間群	D¹²_2d
晶胞參數(shù)（晶格特征參數(shù)）（?）	a=5.742，c=10.305
熔點(diǎn)（℃）	980
晶體光學(xué)均勻性（折射率偏差）	Δn<1*10^-4
密度（g/cm3）	4.58
吸收系數(shù)（cm-1）	<0.005
光學(xué)與非線性光學(xué)特性
光學(xué)傳輸范圍（μm）	0.47到12.5
能隙（eV）	2.8
各向同性波長(zhǎng)（μm）	0.497
折射率（實(shí)測(cè)值）
λ（μm） n	n_o	n_e
0.53	2.6148	2.6145
0.65	2.5417	2.4941
1.064	2.4489	2.3952
2.0	2.4131	2.3594
10.6	2.3449	2.2908
損傷閾值
（τ=10 ns，λ=1.06 μm），20 MW/cm²
非線性光學(xué)系數(shù)
d36（10.6μm）=0.15d36（GaAs）= 13.4 pm/V dooe = d36sinθsin2φ deoe = doee = d36sin2θcos2φ
色散方程（Sellmeier equations，λ in μm）
no2 = 4.4368659+541.97177/（400+λ²）- 0./（0.-λ²） ne2 = 4.1704137+550.23080/（400+λ²）- 0./（0.-λ²）
使用AgGaS2的實(shí)驗(yàn)結(jié)果
泵浦激光：1.06 μm 30ps鎖模激光輸出波長(zhǎng)：4~10 μm 量子轉(zhuǎn)換效率（%） 2.8 （λ=5.2 μm） 1.6 （λ=6.3 μm） 0.6 （λ=7.1 μm）

HgGa2S4晶體簡(jiǎn)介

我們?cè)谏L(zhǎng)HgGa2S4硫化物晶體等非線性晶體方面占有地位。高的激光損傷閾值和高轉(zhuǎn)換效率使得這些晶體可以用于1.0~10 um的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的倍頻和OPO/OPA。據(jù)證實(shí)，CO2激光器用4mm長(zhǎng)的HgGa2S4晶體進(jìn)行二倍頻的量子轉(zhuǎn)換效率為10%（脈寬30ns，輻射功率密度60MW/cm²）。高轉(zhuǎn)換效率和寬波長(zhǎng)可調(diào)諧發(fā)射譜使得HgGa2S4

具有與AgGaS2，AgGaSe2，ZnGeP2和GaSe晶體競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力，盡管生長(zhǎng)大尺寸的HgGa2S4具有一定難度。

HgGa2S4參數(shù)表

物理結(jié)構(gòu)特性
晶格對(duì)稱性以及點(diǎn)群	四方晶系，S₄
空間群	S²₄
熔點(diǎn)（℃）	880
密度（g/cm3）	4.95
光學(xué)與非線性光學(xué)特性
光學(xué)傳輸范圍（μm）	0.5到12.5
能隙（eV）	2.84
折射率（實(shí)測(cè)值）
λ（μm） n	n_o	n_e
0.5495	2.6592	2.5979
0.6500	2.5796	2.5264
1.0760	2.4774	2.4324
3.5400	2.4386	2.3979
11.000	2.3690	2.3290
損傷閾值
τ=10 ns，λ=1.06 μm（單脈沖），60 MW/cm² τ=18 ns，λ=1.064 μm，ν=10 Hz，30 MW/cm²
非線性光學(xué)系數(shù)
d36（1.064μm）=1.8d36（AgGaS2）±15% = （35.2±5.3）pm/V d31（1.064μm）=0.6d36（AgGaS2）±15% = （11.7±1.8）pm/V d36 /d31 = 3 dooe = d36sinθsin2φ+ d31sinθsin2φ，φopt=36° deoe = doee = d36sin2θcos2φ- d31sin2θcos2φ，φopt=81°
色散方程（Sellmeier equations，λ in μm）
no2 = 6.2081522-63.706298/（225.0-λ²）- 0./（0.-λ²） ne2 = 6.0090267-63.280659/（225.0-λ²）- 0./（0.-λ²）
使用HgGa2S4的實(shí)驗(yàn)結(jié)果
用于CO2的激光器（τ=30ns，功率密度60 MW/cm²，L=4 mm）的量子轉(zhuǎn)換效率（%）為10

AgGaS2/HgGa2S4晶體工藝公差表

公差類型	參數(shù)
通光孔徑公差	+0.1/-0 mm
厚度公差	+0.1/-0 mm
角度公差（φ和θ）	+/-30 arcmin
垂直公差	15 arcmin
孔徑倒角	0.1~0.3mm
平行度	<120 arcsec
平整度	<λ/6@633nm
軸向	±0.5°，@所有軸

AgGaS2/HgGa2S4晶體規(guī)格

晶體類型	尺寸	θ	φ	是否鍍膜	價(jià)格
AGS	5×5×1mm	39°	45°	依據(jù)合同	-
HGS	5×5×1mm	43.5°	45°	依據(jù)合同	-
AGS	6×6×2mm	50°	0°	依據(jù)合同	-
HGS	6×6×2mm	55.8°	0°	依據(jù)合同	-
AGS	8×8×1mm	39°	45°	依據(jù)合同	-
HGS	8×8×1mm	43.5°	45°	依據(jù)合同	-