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上海昊量光電設備有限公司
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更新時間：2024-02-14 14:31:38瀏覽次數(shù)：124次
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克爾效應測量系統(tǒng)高性價比磁光克爾效應測量系統(tǒng)！當一束線偏振光照被磁性介質反射后，反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度（克爾旋轉角），這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應
克爾效應測量系統(tǒng)
高性價比磁光克爾效應測量系統(tǒng)！
當一束線偏振光照被磁性介質反射后，反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度（克爾旋轉角），這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應。后來這一效應被用來材料磁特性的研究。磁光克爾效應測量系統(tǒng)就是一套準確測量克爾旋轉角的設備。磁光克爾效應測量系統(tǒng)是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角準確測量的設備，使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術、磁性薄膜等領域。
磁光克爾效應測量系統(tǒng)以激光作為光源，由于樣品磁光克爾效應的磁性信號主要來自于光斑照射的區(qū)域，因此磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有良好的局域性，可以實現(xiàn)在微米區(qū)域內材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作為“探針"，因此對樣品不會造成任何損傷，實現(xiàn)對樣品的無損測量，這對于需要做多次測量的樣品是有利的。
磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有的靈敏度，對克爾旋轉角的探測精度可達到±0.001度。這一點使該設備在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用鐵芯電磁特產生外加磁場，可以提供高達25KOe的外加磁場。
磁光克爾效應測量系統(tǒng)、磁性測量系統(tǒng)、MOKE system、微米區(qū)域克爾磁光效應測量系統(tǒng)、測量裝置
上海昊量光電設備有限公司的磁光克爾測量系統(tǒng)主要可分為以下三類：
① 極向測量磁光克爾效應測量設備（MOKE磁滯回線測量系統(tǒng)）
代表產品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克爾效應(MOKE)測量設備是其中的一款，主要是對12英寸的垂直磁記錄介質磁特性的測量?？梢詼蚀_的探測分析每個探測點的磁滯回線，該產品應用408nm的固體激光器，光斑直徑為1mm，外加磁場可高達25KOe。
磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
② 向測量磁光克爾效應測量設備（MOKE磁滯回線測量系統(tǒng)）
代表產品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自動測量晶圓磁特性和各向異性的磁光克爾測量系統(tǒng)?？梢詫?2寸的晶圓進行多達400個不同點的磁滯回線的測量，并且探測結果以成像的形式顯示。
③ 微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng)（m-kerr system）（極向+縱向，MOKE磁滯回線測量系統(tǒng)）
代表產品為BH-920系列。與前兩款產品相比， BH-920系列擁有更小的激光光斑，可以對微米區(qū)域內的磁特性進行研究。BH-P920-NH是可進行極向的微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng)，該設備具有的靈敏度可達到0.001°。與BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探測靈敏度并且兼具進行極向和縱向測量。
u 主要特點
l 高性能
l 成本低
l 高靈敏度（0.001°）
l 高穩(wěn)定性
l 高外加磁場（25KOe）
u 主要應用
磁性納米技術、磁性薄膜，磁性材料等磁學領域
u 測量項目
磁滯回線
X軸：外加磁場強度 H
Y軸：克爾旋轉角 qk
通過磁滯回線可獲得的參數(shù)
矯頑力 Hc
各向異性場 Hk
內稟矯頑力 Hn
飽和磁場強度 Hs
剩余磁化強度 qr
飽和磁化強度 qs
u 產品主要參數(shù)：
產品型號 參數(shù) | BH-PI920系列 | BH-P920-NH | BH-PI920 | BH-810CPC25WF12 | BH-618SK-CA12 |
產品特點 | 微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量 | 極向微區(qū)域克爾測量裝置，具有高靈敏度 | 微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量，具有較高的靈敏度 | 極向磁光克爾效應測量，對PMR薄膜晶圓的磁特性測量 | 縱向磁光克爾測量系統(tǒng)，可進行多點磁滯回線的測量 |
激光光源 | 半導體激光器（405nm） | 半導體激光器 （408nm） | 半導體激光器（405nm） | ||
光斑直徑 | 縱向測量 約 5mm [1/e2] | 1-2mm | 2-3mm | 1mm | 1′2mm |
極向測量 約 2mm [1/e2] | |||||
探測靈敏度 | ± 0.005° | ±0.001° | ±0.001° | ± 0.005° | ± 0.005° |
探測范圍 | ± 1° | ||||
外加磁場強度 | 極向磁體 >±10kOe | >±10kOe | 極向磁場 >±1.5T | >±25kOe | >±0.2T |
面內磁場 >±10kOe | 面內磁場 >±1T | ||||
可測樣品大小 | 5′5′1tmm~10′10′1tmm | 5′5~10′10mm t：0.5~1mm | 12inch wafer | 12inch wafer |
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