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拉單晶專用鎵摻雜劑(Ga Dopant)

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更新時間:2022-08-03 11:30:27瀏覽次數(shù):256次

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■鎵為IIIA族元素,原子量為69.72,英文名稱為Gallium,簡稱Ga
                

鎵為IIIA族元素,原子量為69.72,英文名稱為Gallium,簡稱Ga。鎵質(zhì)軟,淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有無毒、不揮發(fā)、不燃、不爆炸等特性。是硅半導(dǎo)體摻雜的重要元素。

光衰減率≤2%屬于檢測范圍內(nèi),可視為無衰減。正如拉制無位錯單晶并非是零位錯的,而是位錯密度≤3000CM-2的單晶可視為無位錯的。

用鎵代替硼作為摻雜劑來拉制太陽電池單晶,可以提高電池的轉(zhuǎn)換效率和降低光衰減問題(因?yàn)楸苊饬伺鹧鯊?fù)合體-嚴(yán)重影響光衰減率的深能級的產(chǎn)生)。

本公司提供進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑,包括以下品種:
7N進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑
8N進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑


籽晶 圓籽晶/方籽晶/錐形籽晶(直拉單晶)

產(chǎn)品介紹:選材好,均從整根單晶中取材,取自單晶中部的無位錯、無損傷、無

Monocrystal高品質(zhì)藍(lán)寶石籽晶

產(chǎn)品介紹:藍(lán)寶石具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性等特點(diǎn),廣

碳化硅籽晶

產(chǎn)品介紹:SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功

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