赫爾納貿(mào)易(大連)有限公司
主營產(chǎn)品: witte夾具-jandel探針,DAITEST測針,gann木材測試儀 |
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公司信息
- 聯(lián)系人:
- 王經(jīng)理
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- 地址:
- 海航路9號
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- 個性化:
- www.heilna-gmbh.com
- 網(wǎng)址:
- www.heilna.com/
參考價 | ¥ 4500 |
訂貨量 | 1件 |
- 型號 SEM
- 品牌 其他品牌
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 所在地 大連市
更新時間:2024-10-30 08:21:39瀏覽次數(shù):1501
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赫爾納供應德國siegert wafer硅片AFM
赫爾納貿(mào)易優(yōu)勢供應,德國總部直接采購,近30年進口工業(yè)品經(jīng)驗,原裝產(chǎn)品,為您提供一對一好的解決方案,貨期穩(wěn)定。
公司簡介:
除了硅之外,您當然還會在我們的產(chǎn)品組合中找到小批量生產(chǎn) 的由熔融石英、硼浮法和玻璃、藍寶石和SOI 晶圓制成的基板。SIEGERT WAFER GmbH 也是您在晶圓領(lǐng)域的涂層、格式化或許多其他方面的。我們有能力在研磨和拋光客戶的晶圓。
siegert wafer硅片主要產(chǎn)品:
siegert wafer硅片
siegert wafer硅棒
siegert wafer硅片產(chǎn)品型號:
siegert wafer硅片SEM
siegert wafer硅片AFM
siegert wafer硅片產(chǎn)品特點:
直徑2 英寸(50.8 毫米),3 英寸(76.2 毫米),100 毫米,125 毫米,150 毫米,200 毫米,300 毫米。
生長CZ(直拉),F(xiàn)Z-HPS(浮區(qū),超純硅),F(xiàn)Z-NTD(浮區(qū),中子嬗變摻雜),F(xiàn)Z-GD(浮區(qū),氣體摻雜)。
方向,<100>,<111>,<110>。
電阻率0.001 - 50,000 歐姆-厘米。
厚度100 - 8,000 µm。
表面處理,單面拋光 (SSP),雙面拋光 (DSP),切割,研磨,蝕刻。
siegert wafer硅片產(chǎn)品應用:
siegert wafer硅片晶圓研磨是一種減少晶圓厚度的技術(shù)。它也稱為背部打圈或背部細化。通常它是使用不同的砂輪分幾個步驟完成的。每一步,晶粒尺寸都會變得更細,以消上一步造成的亞表面損傷,并進一步降低表面粗糙度。siegert wafer硅片精細的 Ultrapoligrind 砂輪可產(chǎn)生精細研磨的反光表面。siegert wafer硅片CMP 預拋光和拋光是實現(xiàn)表面質(zhì)量的后步驟。化學機械拋光 (CMP) 通常分兩個階段進行:預拋光去除先前步驟中表面上和表面下方的殘留損傷,siegert wafer硅片而在隨后的拋光中,通過平滑將所謂的霧度水平降至低晶圓表面。所實現(xiàn)的平坦表面結(jié)構(gòu)和 ?ngstr?m 范圍內(nèi)的粗糙度新應用的要求。
siegert wafer硅片為了保護晶圓的正面,暫時用 UV 膜覆蓋。該薄膜可以在運送給客戶之前去除,也可以留在晶圓上以保護表面并防止運輸過程中破裂。siegert wafer硅片作為硅片供應商,我們可以為您需要的規(guī)格。在我們這里,您將找到來自直拉 (CZ) 和浮區(qū) (FZ) 培養(yǎng)工藝的純度硅片。個別規(guī)格常也可以小批量實施。我們?yōu)槟鉀Q方案,是單個晶圓也可以在潔凈室中分離。
siegert wafer硅片磨削工作,磨削服務,例如磨削較小直徑的適配器/袋(袋式晶圓),切割循環(huán)、格式化(切割),將晶圓分離成小芯片材料:硅、玻璃、石英、藍寶石,激光加工 激光加工,貼標、打標、激光切割,涂層siegert wafer硅片金屬化PVD/ CVD / 電鍍 / 氣相沉積 干法和濕法氧化,低溫氧化物 siegert wafer硅片LPCVD 氮化物 / PECVD 氮化物,多晶硅,光刻膠,ITO(氧化銦錫)去除晶圓背面的 SiO2,通過保護正面和高頻浸蝕來 siegert wafer硅片去除背面氧化晶圓分離 晶圓分離,可以將晶圓從一塊開始 分離為庫存物品,siegert wafer硅片計量SEM,AFM類型和電阻率檢查,橢偏儀,晶圓幾何形狀 (E&H MX-204)
層厚度測量 (Filmetrics F50-NIR)。
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