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單晶硅鑄錠爐紅外測(cè)溫儀測(cè)溫范圍

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單晶硅鑄錠爐紅外測(cè)溫儀測(cè)溫范圍

詳細(xì)介紹

單晶硅鑄錠爐紅外測(cè)溫儀測(cè)溫范圍

RF-4A14石墨坩堝光纖式
DCTQ1-7014多晶硅液面溫度紅外測(cè)溫儀
DCTQ2-3514多晶硅液面溫度測(cè)量?jī)x

1、概述

多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)，其純度要比單晶硅低，它可作拉制單晶硅的原料。多晶硅由多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)出來(lái)。
多晶硅的生產(chǎn)是把高純多晶硅料裝入到鑄錠爐中，抽真空后，將硅料熔化成液態(tài)，通過(guò)鑄錠爐的自動(dòng)化的操作，使硅料形成一個(gè)豎直溫度梯度。液態(tài)硅自下向上緩慢地重新結(jié)晶，生成一塊大晶粒的多單晶體的鑄錠硅來(lái)。硅錠經(jīng)過(guò)退火、冷卻后出爐完成整個(gè)鑄錠過(guò)程。

目前國(guó)際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門(mén)子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門(mén)子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80％。生產(chǎn)工藝以改良西門(mén)子法為例：

（1）裝料
將裝有涂層的陶瓷坩堝放置在熱交換臺(tái)（冷卻板）上，放入適量的硅原料，然后安裝加熱設(shè)備、隔熱設(shè)備和爐罩，將爐內(nèi)抽真空，使?fàn)t內(nèi)壓力降至（0.05-0.1）mbar并保持真空。通入氬氣作為保護(hù)氣，使?fàn)t內(nèi)壓力基本維持在（400～600）mbar左右。
（2）加熱
利用石墨加熱器給爐體加熱，首先使石墨部件（包括加熱器、坩堝板、熱交換臺(tái)等）、隔熱層、硅原料等表面吸附的濕氣蒸發(fā)，然后緩慢加溫，使陶瓷坩堝的溫度達(dá)到1200℃～1300℃左右，該過(guò)程約需要4h～5h。
（3）化料
通入氬氣作為保護(hù)氣，使?fàn)t內(nèi)壓力基本維持在（400～600）mbar左右。逐漸增加加熱功率，使陶瓷坩堝內(nèi)的溫度達(dá)到1500℃左右，硅原料開(kāi)始熔化。熔化過(guò)程中一直保持1500℃左右，直至化料結(jié)束。該過(guò)程約需要9～11h。
（4）晶體生長(zhǎng)
硅原料熔化結(jié)束后，降低加熱功率，使陶瓷坩堝的溫度降至1420℃～1440℃硅熔點(diǎn)左右。陶瓷坩堝逐漸向下移動(dòng)，或者隔熱裝置逐漸上升，使得坩堝慢慢脫離加熱區(qū)，與周圍形成熱交換；同時(shí)，冷卻板通水，使熔體的溫度自底部開(kāi)始降低，晶體硅首先在底部形成，并呈柱狀向上生長(zhǎng)，生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面始終保持與水面平行，直至晶體生長(zhǎng)完成，該過(guò)程約需要20h～22h。
（5）退火
晶體生長(zhǎng)完成后，由于晶體底部和上部存在較大的溫度梯度，因此，晶錠中可能存在熱應(yīng)力，在硅片加工和電池制備過(guò)程中容易造成硅片碎裂。所以，晶體生長(zhǎng)完成后，晶錠保持在熔點(diǎn)附近2h～4h，使晶錠溫度均勻，以減少熱應(yīng)力。
（6）冷卻
晶錠在爐內(nèi)退火后，關(guān)閉加熱功率，提升隔熱裝置或者*下降晶錠，爐內(nèi)通入大流量氬氣。使晶體溫度逐漸降低至室溫附近；同時(shí)，爐內(nèi)氣壓逐漸上升，直至達(dá)到大氣壓，最后去除晶錠，該過(guò)程約需要10h。
對(duì)于重量為250～300kg的鑄造多晶硅而言，一般晶體生長(zhǎng)的速度約為（0.1～0.2）mm/min,其晶體生長(zhǎng)的時(shí)間約35～45h。
2、多晶硅紅外溫度測(cè)量
硅材料是比較難測(cè)的物體，硅輻射的溫度與發(fā)射率的對(duì)應(yīng)關(guān)系如上圖。硅的發(fā)射率在某個(gè)特定區(qū)域內(nèi)是不變的。需要紅外測(cè)溫儀采用特殊的窄帶濾色片來(lái)減小發(fā)射率變化的影響。
（1）多晶硅液面溫度測(cè)量
采用短波長(zhǎng)雙色測(cè)溫儀來(lái)測(cè)量多晶硅液面的溫度。推薦產(chǎn)品：DCTQ1-7XXX（鏈接DCTQ系列雙色紅外測(cè)溫儀），溫度分辨率為0.1℃，溫度場(chǎng)內(nèi)的微小變化都能快速響應(yīng)，并具有的溫度穩(wěn)定性。
采用比色測(cè)溫的方法，可以避免硅料直徑變化的影響。視窗的污染，也不會(huì)影響測(cè)溫的準(zhǔn)確性。并有臟鏡頭檢測(cè)功能，鏡頭太臟時(shí)會(huì)提前發(fā)出信號(hào)，保證系統(tǒng)可靠工作。
石墨坩堝光纖式紅外測(cè)溫儀產(chǎn)品特點(diǎn)如下：
測(cè)溫精度可達(dá)0.5%,重復(fù)精度為2℃，溫度分辨率達(dá)0.1℃（16bit）
響應(yīng)時(shí)間10ms～99.99s可調(diào)
采用可調(diào)焦鏡頭，測(cè)量距離0.35m至無(wú)窮遠(yuǎn)
對(duì)探測(cè)器采用PID恒溫控制，消除環(huán)境溫度對(duì)測(cè)量的影響
可視目鏡，清晰顯示被測(cè)目標(biāo)的位置及大小
兼具雙色和單色測(cè)溫功能
雙色模式下，有鏡頭臟檢測(cè)功能
采用工業(yè)級(jí)OLED屏為顯示界面，人機(jī)界面友好
軟硬件等抗干擾設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)穩(wěn)定性，可抗2500VDC脈沖群干擾
使用場(chǎng)合有防爆要求時(shí)，在測(cè)量液面的區(qū)域，推薦使用光纖式雙色紅外測(cè)溫儀。推薦產(chǎn)品：SN-7018（鏈接SN系列光纖式雙色測(cè)溫儀）。采用可調(diào)焦鏡頭和紅色激光光源瞄準(zhǔn)，溫度分辨率為0.1℃，具有的溫度穩(wěn)定性。采用比色測(cè)溫的方法，可以避免硅料直徑變化的影響。視窗的污染，也不會(huì)影響測(cè)溫的準(zhǔn)確性。并有臟鏡頭檢測(cè)功能，鏡頭太臟時(shí)會(huì)提前發(fā)出信號(hào)，保證系統(tǒng)可靠工作。
（2）石墨坩堝溫度的檢測(cè)
采用短波長(zhǎng)單色測(cè)溫儀來(lái)測(cè)量石墨坩堝的溫度。推薦產(chǎn)品：DCTQ1-XX（鏈接DCTQ系列單色紅外測(cè)溫儀）或者經(jīng)濟(jì)款產(chǎn)品DCTQ（鏈接SN系列單色紅外測(cè)溫儀）。
兩款產(chǎn)品采用1：1綠色光源對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)，并采用可調(diào)焦鏡頭（不受安裝距離遠(yuǎn)近的限制），溫度分辨率為0.1℃，具有的溫度穩(wěn)定性。

在使用場(chǎng)合有防爆要求時(shí)，在石墨坩堝的區(qū)域推薦使用光纖式單色紅外測(cè)溫儀。推薦產(chǎn)品：DCTQ1-XX光纖式單色測(cè)溫儀）。采用可調(diào)焦鏡頭和紅色激光光源瞄準(zhǔn)，溫度分辨率為0.1℃，具有的溫度穩(wěn)定性。

石墨坩堝晶體硅液面雙色紅外測(cè)溫儀

關(guān)鍵詞：鑄錠爐紅外測(cè)溫儀測(cè)溫儀硅原料加熱設(shè)備

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