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JSM-7200F 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡

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更新時(shí)間:2023-07-22 16:30:01瀏覽次數(shù):148次

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產(chǎn)品簡介

JSM-7200F的電子光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用了日本電子旗艦機(jī)-JSM-7800FPrime采用的浸沒式肖特基電子槍技術(shù),標(biāo)配TTLS系統(tǒng)(Through-The-LensSystem),無論是在高/低加速電壓下,空間分辨率都比傳統(tǒng)機(jī)型有了很大的提升

詳細(xì)介紹

  • JSM-7200F的電子光學(xué)系統(tǒng)應(yīng)用了日本電子旗艦機(jī)-JSM-7800F Prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術(shù),標(biāo)配TTLS系統(tǒng)(Through-The-Lens System),無論是在高/低加速電壓下,空間分辨率都比傳統(tǒng)機(jī)型有了很大的提升。此外,保證300nA的束流,能兼顧高分辨率觀察和高通量分析,具有充實(shí)的自動(dòng)功能和易用性,是新一代的多功能場發(fā)射掃描電鏡。

  • <特點(diǎn)>

  • JSM-7200F的主要特點(diǎn)有:應(yīng)用了浸沒式肖特基電子槍技術(shù)的電子光學(xué)系統(tǒng);利用GB(Gentle Beam 模式)和各種檢測器在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨觀察和選擇信號的TTLS系統(tǒng)(Through-The-Lens System);電磁場疊加的混合式物鏡。

  • 浸沒式肖特基電子槍

  • 浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍為日本電子的技術(shù),通過對電子槍和低像差聚光鏡進(jìn)行優(yōu)化,能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子,即使電子束流很大也能獲得很細(xì)的束斑。因而可以實(shí)現(xiàn)高通量分析(EDS、WDS面分析、EBSD分析等)。

  • TTLS(through-the-lens系統(tǒng))

  • TTLS(through-the-lens系統(tǒng))是利用GB(Gentle Beam 模式)在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨率觀察和信號選擇的系統(tǒng)。 利用GB(Gentle Beam 模式)通過給樣品加以偏壓,對入射電子有減速、對樣品中發(fā)射出的電子有加速作用,即使在低加速電壓(入射電壓)下,也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。 
    此外,利用安裝在TTLS的能量過濾器過濾電壓,可以調(diào)節(jié)二次電子的檢測量。這樣在極低加速電壓的條件下,用高位檢測器(UED)就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能量電子,可以用高位二次電子檢測器(USD,選配件)檢測出來,因此JSM-7200F能同時(shí)獲取二次電子像和背散射電子像。

  • 混合式物鏡(電磁場疊加)

  • JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開發(fā)的混合式透鏡。 
    這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡,比傳統(tǒng)的out-lens像差小,能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性,所以可以觀察和分析磁性材料樣品。

  • 應(yīng)用實(shí)例

  •  利用混合式物鏡、GB(Gentle Beam 模式)進(jìn)行觀察的實(shí)例 

  • 利用低像差的混合式物鏡和GB 模式,即使對不導(dǎo)電樣品也能在極低的加速電壓下進(jìn)行高分辨率成像。

  • 樣品: 介孔二氧化硅 (中國上海交通大學(xué)車順愛教授)

  • ◇ 使用高位檢測器(UED)、能量過濾器進(jìn)行觀察的實(shí)例

  • 下圖是利用UED在低加速電壓條件下獲得的背散射電子像。由于是大角度散射電子成像,成份信息非常豐富,但加速電壓為0.8kV比在5kV時(shí)的測試,能獲得更細(xì)微的淺表面信息。象這樣在極低加速電壓下要獲取樣品淺表面的背散射電子成份像,不僅需要高位檢測器,還需要用來去除二次電子的能量過濾器。

  • 樣品:鍍金表面,   能量過濾器: -250 V 

技術(shù)參數(shù)

                                                         JSM-7200F                                                                    JSM-7200FLV

分辨率 1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV) 1.0 nm(20kV),1.6 nm(1kV),1.8nm (30kV,  LV )
放大倍率 ×10~×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30~×3,000,000(1280 x 960pixels display);
加速電壓 0.01kV~30kV
束流 1pA~300nA
自動(dòng)光闌角控制透鏡ACL 內(nèi)置
大景深模式 內(nèi)置
檢測器 高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED)
樣品臺 5軸馬達(dá)驅(qū)動(dòng)樣品臺
樣品移動(dòng)范圍 X:70mm  Y:50mm  Z:2mm~41mm 傾斜-5~+70°  旋轉(zhuǎn)360°
低真空范圍 - 10pa~300pa
  • 主要選配件

  • 可插拔式背散射電子探頭(RBED)

  • 高位二次電子探頭(USD)

  • 低真空二次電子探頭(LV-SED)

  • 能譜儀(EDS)

  • 波譜儀(WDS)

  • 電子背散射衍射系統(tǒng)(EBSD)

  • 陰極熒光系統(tǒng)(CLD)

  • 樣品臺導(dǎo)航系統(tǒng)(SNS)

  • 電子束曝光系統(tǒng)

關(guān)鍵詞:能譜儀 波譜儀
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